[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201711392708.6
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108281481B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 閔庚石;石城大;李正允
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

半導體裝置包括：在基底上的器件隔離層、由器件隔離層限定的第一有源圖案以及源極區和漏極區。第一有源圖案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源圖案的上部處的一對凹進之間的溝道區。源極區和漏極區填充第一有源圖案中的一對凹進區。源極區和漏極區中的每個包括位于凹進中的第一半導體圖案和位于第一半導體圖案上的第二半導體圖案。源極區和漏極區中的每個具有其寬度小于源極區和漏極區中的所述每個的下部的寬度的上部。第二半導體圖案具有其寬度小于第二半導體圖案的下部的寬度的上部。第二半導體圖案的上部被布置成高于溝道區的頂表面。

本專利申請要求于2017年1月5日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0001938號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

發明構思涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種包括鰭式場效應晶體管的半導體裝置。

背景技術

半導體裝置因為其尺寸小、功能多和/或制造成本低而用在電子行業中。半導體裝置可被分類為存儲邏輯數據的半導體存儲器裝置、處理邏輯數據的操作的半導體邏輯裝置以及兼具存儲器和邏輯元件的混合半導體裝置中的任意一種。在電子行業中，已經越來越多地使用半導體裝置。例如，半導體裝置已經越來越多地用于高可靠性、高速度和/或多功能應用。半導體裝置逐漸復雜并高度集成以滿足所需的特性。

發明內容

發明構思涉及一種包括具有增強的電子特性的場效應晶體管的半導體裝置。

根據發明構思的一些示例實施例，半導體裝置可以包括：基底，包括第一區域和第二區域；器件隔離層，位于基底上，器件隔離層限定第一有源圖案，第一有源圖案在第一區域上在第一方向上延伸，第一有源圖案包括位于形成在第一有源圖案的上部處的一對凹進之間的溝道區；源極區和漏極區，在第一有源圖案中填充所述一對凹進。源極區和漏極區中的每個可以包括位于凹進的內側壁上的第一半導體圖案和位于第一半導體圖案上的第二半導體圖案。源極區和漏極區中的所述每個在源極區和漏極區中的所述每個的上部處在第一方向上的寬度可以小于源極區和漏極區中的所述每個在源極區和漏極區中的所述每個的下部處在第一方向上的寬度。第二半導體圖案在第二半導體圖案的上部處在第一方向上的寬度可以小于第二半導體圖案在第二半導體圖案的下部處在第一方向上的寬度。第二半導體圖案的上部可被布置成高于溝道區的頂表面。

根據發明構思的一些示例實施例，半導體裝置可以包括：基底，包括第一區域和第二區域；第一有源圖案，在基底的第一區域上。第一有源圖案可以在第一方向上延伸。第一有源圖案可以包括溝道區和橫跨溝道區在第一方向上彼此分隔開的一對源極區和漏極區。基底可以包括第一半導體成分。源極區和漏極區中的每個可以包含第二半導體成分，第二半導體成分的晶格常數大于第一半導體成分的晶格常數。源極區和漏極區中的所述每個可以包括順序堆疊的多個半導體圖案。所述多個半導體圖案可以包括第一半導體圖案。第一半導體圖案中的第二半導體成分的含量可以大于所述多個半導體圖案中的任何其它一個中的第二半導體成分的含量。第一半導體圖案在第一半導體圖案的上部處的寬度可以小于第一半導體圖案在第一半導體圖案的下部處在第一方向上的寬度。第一半導體圖案的上部可被布置成高于溝道區的頂表面。

根據發明構思的一些示例實施例，半導體裝置可以包括：基底、在基底上彼此分隔開的多個有源圖案、柵電極、柵極介電圖案以及源極區和漏極區。所述多個有源圖案可以包括在第一方向上延伸的第一有源圖案。第一有源圖案可以包括在第一方向上交替布置的第一溝道區和凹進區。第一溝道區可以在凹進區上方突出。第一有源圖案的凹進區可以在第一溝道區的頂表面與凹進區的底表面之間的水平處具有最大寬度。柵電極可以橫跨第一有源圖案的第一溝道區。柵極介電圖案可以位于柵電極與第一有源圖案的第一溝道區之間。源極區和漏極區可以位于第一有源圖案的凹進區中。

附圖說明

圖1是用于解釋根據發明構思的一些示例實施例的半導體裝置的平面圖。

圖2A、圖2B、圖2C和圖2D是分別沿圖1的線A-A'、線B-B'、線C-C'和線D-D'截取的剖視圖。