[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201711392708.6
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108281481B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 閔庚石;石城大;李正允
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括第一區域和第二區域；

器件隔離層，位于基底上，器件隔離層限定第一有源圖案，第一有源圖案在第一區域上在第一方向上延伸，第一有源圖案包括位于形成在第一有源圖案的上部處的一對凹進之間的溝道區；

源極區和漏極區，在第一有源圖案中填充所述一對凹進，源極區和漏極區中的每個包括位于凹進的內側壁上的第一半導體圖案和位于第一半導體圖案上的第二半導體圖案，

其中，源極區和漏極區中的所述每個在源極區和漏極區中的所述每個的上部處在第一方向上的寬度小于源極區和漏極區中的所述每個在源極區和漏極區中的所述每個的下部處在第一方向上的寬度，

在第二半導體圖案的位于溝道區的頂表面與第二半導體圖案的底表面之間的中間水平處，第二半導體圖案在第一方向上具有最大的寬度。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，第二半導體圖案的上部與第一半導體圖案的上內側壁接觸。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，第一有源圖案的上部被布置成高于器件隔離層的頂表面。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

基底包含第一半導體成分，

源極區和漏極區中的所述每個包含第二半導體成分，第二半導體成分的晶格常數大于第一半導體成分的晶格常數，

源極區和漏極區中的所述每個還包括位于第一半導體圖案與第二半導體圖案之間的第三半導體圖案，

第三半導體圖案中的第二半導體成分的含量大于第一半導體圖案中包含的第二半導體成分的含量，并小于第二半導體圖案中的第二半導體成分的含量。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，第二半導體圖案的體積大于第三半導體圖案的體積。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

基底包含第一半導體成分，

第一半導體圖案和第二半導體圖案包含第二半導體成分，第二半導體成分的晶格常數大于第一半導體成分的晶格常數，

源極區和漏極區中的所述每個還包括位于第二半導體圖案上第三半導體圖案，

第三半導體圖案包含95at％至100at％范圍內的第一半導體成分。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

基底包含第一半導體成分，

源極區和漏極區中的所述每個包含第二半導體成分，第二半導體成分的晶格常數大于第一半導體成分的晶格常數，

第二半導體圖案中的第二半導體成分的含量大于第一半導體圖案中的第二半導體成分的含量。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：柵電極，與第一有源圖案的溝道區交叉，

其中，柵電極圍繞溝道區的相對側壁和溝道區的頂表面。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

器件隔離層限定在第二區域上在第一方向上延伸的第二有源圖案，

第一區域為PMOSFET區域，

第二區域為NMOSFET區域。

10.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括第一區域和第二區域，基底包括第一半導體成分；以及

第一有源圖案，位于基底的第一區域上，第一有源圖案在第一方向上延伸，第一有源圖案包括溝道區和橫跨溝道區在第一方向上彼此分隔開的一對源極區和漏極區，源極區和漏極區中的每個包含第二半導體成分，第二半導體成分的晶格常數大于第一半導體成分的晶格常數，源極區和漏極區中的所述每個包括順序堆疊的多個半導體圖案，所述多個半導體圖案包括第一半導體圖案，第一半導體圖案中的第二半導體成分的含量大于所述多個半導體圖案中的任何其它一個中的第二半導體成分的含量，在第一半導體圖案的位于溝道區的頂表面與第一半導體圖案的底表面之間的中間水平處，第一半導體圖案在第一方向上具有最大的寬度。