[發明專利]晶圓側邊去光阻方法

有效

• 申請號: 201711392379.5
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108039316B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 周世均;陳力鈞;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明提供了一種晶圓側邊去光阻方法，提供晶圓，所述晶圓具有相對的正面和背面以及連接所述正面和所述背面的側邊，所述晶圓上形成有光阻層；提供光源，使光至少照射到所述側邊且不照射到所述正面，引起光阻層的光學反應；最后去除反應掉的所述光阻層。該方法使用光學原理，通過調整所述晶圓側邊被光照射到的范圍，以此來達到調整所述晶圓側邊高度，最后去除反應掉的所述光阻，從而到達高精度控制光阻在晶圓側邊形貌的能力，而且，即使晶圓側邊位置有偏移，但只要光的方向不變，就不會對晶圓側邊產生影響。這種方法形成的光阻在晶圓側邊位置的準確性和邊緣的均一性非常好。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其是涉及一種晶圓側邊去光阻方法

背景技術

在半導體制造產業中，當光刻的關鍵尺寸在45nm以下時，光刻就需要用到浸沒式光刻技術以提高光刻的分辨率。對于浸沒式光刻機，為防止晶圓邊緣的光刻膠污染到曝光機腔體，并在曝光過程中帶到晶圓表面形成缺陷，要求晶圓側邊要按照特定的結構分布不同的光刻膠層，光阻層的邊緣要完全覆蓋掉底部抗反射層，而又不能露到頂層防水層外，這就要求光阻層的邊緣所處位置非常精確。

目前對于晶圓側邊光阻的處理都是使用化學溶劑從晶圓背面沖洗至側邊，通過液體的特性，化學溶劑從晶背沖到晶圓邊緣后，會沖洗掉下晶圓側邊和晶圓側邊最頂端的光阻并稍微卷到上晶圓側邊區，這樣來達到清洗晶圓側邊光阻的目的。但是此種方法對于液體噴吐方向和流量以及晶圓放置位置的要求非常高，當噴吐流量過高就會沖洗到晶圓正面，太低又洗不干凈晶圓側邊的光阻，另外晶圓洗晶圓側邊時會轉動，如果晶圓的位置沒有放到轉動平臺的正中央也會造成晶圓側邊的光阻層均一性不良。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓側邊去光阻方法，以解決現有技術中采用化學溶劑清洗晶圓側邊光阻時因液體噴吐流量過大或過小，液體噴吐方向的偏差以及晶圓放置位置的偏差而造成晶圓側邊光阻層均一性不良的問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種晶圓側邊去光阻方法，包括以下步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有相對的正面和背面以及連接所述正面和所述背面的側邊，所述晶圓上形成有光阻層；

提供光源，使光至少照射到所述側邊且不照射到所述正面，引起光阻層的光學反應；

去除反應掉的所述光阻層。

本發明提供晶圓側邊去光阻方法利用光學原理，在晶圓背面增加一個光源，通過曝光，把晶圓側邊的光阻層通過光化學反應反應掉，然后去掉反應掉的光阻層。由于使用的是光學方法，可以非常精確的控制晶圓側邊上剩余光阻的形貌。而且，即使晶圓位置有偏移，但只要光的方向不變，就不會對晶圓側邊產生影響。

可選的，所述光源為線光源或面光源，且與水平面具有一角度，通過調整所述角度調整所述晶圓側邊被光照射到的范圍。

可選的，所述光源為線光源或面光源，且與水平面具有一角度，通過調整所述角度調整所述晶圓側邊被光照射到的范圍。

可選的，通過調整所述晶圓側邊被光照射到的范圍，以此來達到調整所述晶圓側邊剩余光阻高度的目的。

可選的，所述晶圓上所述光阻層下方還形成有底部抗反射層，所述光阻層完全覆蓋所述底部抗反射層。

可選的，所述晶圓側邊分成依次相鄰的三個部分，包括上晶圓側邊區、晶圓側邊頂端及下晶圓側邊區。

可選的，在去除后所述光阻層的邊緣落到所述上晶圓側邊區。

可選的，所述光源包括汞燈。

可選的，去除反應掉的所述光阻層之后，進行浸沒式光刻。

可選的，在去除反應掉的所述光阻層之后，進行浸沒式光刻之前，還包括：形成防水層，所述防水層完全覆蓋所述光阻層。