[發(fā)明專利]晶圓側(cè)邊去光阻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711392379.5 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108039316B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周世均;陳力鈞;朱駿 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 側(cè)邊 去光阻 方法 | ||
1.一種晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，包括，
提供晶圓，所述晶圓具有相對的正面和背面以及連接所述正面和所述背面的側(cè)邊，所述晶圓上形成有光阻層；
提供光源，使光至少照射到所述側(cè)邊且不照射到所述正面，引起光阻層的光學(xué)反應(yīng)，所述光源為線光源或面光源，且與水平面具有一角度，通過調(diào)整所述角度調(diào)整所述晶圓側(cè)邊被光照射到的范圍；
去除反應(yīng)掉的所述光阻層；
形成防水層，所述防水層完全覆蓋所述光阻層；
進行浸沒式光刻。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，通過調(diào)整所述晶圓側(cè)邊被光照射到的范圍，以調(diào)整所述晶圓側(cè)邊剩余光阻的高度。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，所述晶圓上所述光阻層下方還形成有底部抗反射層，所述光阻層完全覆蓋所述底部抗反射層。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，所述晶圓側(cè)邊分成依次相鄰的三個部分，包括上晶圓側(cè)邊區(qū)、晶圓側(cè)邊頂端及下晶圓側(cè)邊區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，在去除后所述光阻層的邊緣落到所述上晶圓側(cè)邊區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，所述光源包括汞燈。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓側(cè)邊去光阻方法，其特征在于，當(dāng)所述晶圓正面朝上水平放置時，所述光阻層邊緣末端與所述防水層邊緣末端在豎直方向上的高度差小于等于50μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
