[發明專利]一種優化的芯片級封裝工藝方法

有效

• 申請號: 201711388186.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108269812B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 曹靜;潘震;胡勝
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種優化的芯片級封裝工藝方法，其特征在于，提供一第一晶圓，包括以下步驟：

步驟S1，于所述第一晶圓表面形成第一溝槽結構；

步驟S2，于所述第一晶圓表面形成第二溝槽結構；

步驟S3，對所述第一溝槽結構和所述第二溝槽結構進行填充；

步驟S4，對填充后的所述第一晶圓表面進行平坦化，至露出所述第一晶圓表面；

步驟S5，于所述第一晶圓表面形成焊盤結構；

步驟S6，將所述第一晶圓形成有所述焊盤結構的一面與一第二晶圓相鍵合；

步驟S7，對所述第一晶圓減薄一預定厚度；

步驟S8，于減薄后的所述第一晶圓表面引出金屬線。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中形成所述第一溝槽的步驟為：

步驟S11，于所述第一晶圓表面形成一第一光刻層，圖案化所述第一光刻層，于一預定位置形成工藝窗口；

步驟S12，通過所述第一光刻層對所述第一晶圓進行刻蝕，停留于所述第一晶圓內一第一預定深度；

步驟S13，去除所述第一光刻層，形成所述第一溝槽結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中形成所述第二溝槽結構的步驟為：

步驟S21，于所述第一晶圓表面形成一第二光刻層，圖案化所述第二光刻層，于一預定位置形成工藝窗口；

步驟S22，通過所述第二光刻層對所述第一晶圓進行刻蝕，停留于所述第一晶圓內一第二預定深度；

步驟S23，去除所述第二光刻層，形成所述第二溝槽結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一預定深度小于所述第二預定深度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中通過沉積一氧化層進行填充。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溝槽結構的深度不大于0.3微米。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S8后，還包括進行后續的封裝步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二溝槽結構形成于所述第一溝槽結構的側邊。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法適用于背照式圖像傳感器。