[發(fā)明專(zhuān)利]一種適用于MSAP工藝的閃蝕藥水

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711387962.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108174520B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏海;郝意;黃志齊;丁杰;王擴(kuò)軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市板明科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K3/06
• 分類(lèi)號(hào): H05K3/06
• 代理公司: 深圳市精英專(zhuān)利事務(wù)所 44242
• 代理人: 劉貽盛

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于MSAP工藝的閃蝕藥水，藥水中護(hù)岸劑與銅離子形成絡(luò)合物附著在銅表面，這樣線路間的底銅在水平噴淋設(shè)備中正對(duì)液體噴流，絡(luò)合物保護(hù)膜很容易破裂從而使得底銅被蝕刻溶解，而線路側(cè)壁的絡(luò)合物保護(hù)膜由于受流體擾動(dòng)較小，可以保護(hù)側(cè)壁的銅不被侵蝕，因此在閃蝕前不需要涂布蝕刻抑制層，所述護(hù)岸劑可控制線路側(cè)壁蝕刻速率為頂部蝕刻速率的二分之一。所述潤(rùn)濕劑通過(guò)增加銅表面親水性，使蝕刻液可以充分和銅反應(yīng)達(dá)到蝕刻加速的效果，穩(wěn)定劑可降低雙氧水分解且耐銅性好。所述閃蝕藥水可處理45μm/45μm以下線寬線距的精細(xì)線路，且蝕刻線路過(guò)程中可靠性高，無(wú)需真空蝕刻設(shè)備，成本低、流程簡(jiǎn)單，易于管控。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于印制電路板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種蝕刻藥水，具體地說(shuō)涉及一種適用于MSAP工藝的閃蝕藥水。

背景技術(shù)

隨著以智能手機(jī)、平板電腦為代表的電子設(shè)備的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品功能越來(lái)越全面、體積也越來(lái)越小，從而對(duì)印制電路板(PCB)的要求也越來(lái)越高，并帶動(dòng)PCB行業(yè)向高密度、高集成、封裝化、細(xì)微化和多層化的方向發(fā)展，由此對(duì)PCB產(chǎn)品線路精細(xì)化水平要求也越來(lái)越高，目前75μm/75μm以上的線寬線距已經(jīng)不能滿(mǎn)足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的發(fā)展要求，高端智能手機(jī)及平板電腦的線寬線距已經(jīng)普遍降至50μm以下，甚至達(dá)到了25μm，伴隨著HDI產(chǎn)品與技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)于線路的精細(xì)度要求必將越來(lái)越高。

傳統(tǒng)的積成法工藝?yán)猛繕?shù)脂銅箔或半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層擠壓的積層逐漸難以滿(mǎn)足精細(xì)化線路的要求，現(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進(jìn)型半加成法(MSAP)制備線路，其是指采用絕緣介質(zhì)膜積層、線路板制造再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄從而容易形成精細(xì)線路。其中MSAP工藝中，電鍍層與層壓基銅相連具有較好的附著力，線路之間具有高隔絕性，還具有優(yōu)異的過(guò)孔連接可靠性。

但是對(duì)于超精細(xì)線路成型工藝，目前MSAP工藝中常見(jiàn)的酸銅或堿銅已無(wú)法達(dá)到精度的要求，即便采用價(jià)格昂貴的真空蝕刻設(shè)備，線路品質(zhì)可產(chǎn)品可靠性依然無(wú)法得到有效保證，當(dāng)前采用真空蝕刻設(shè)備上酸銅體系制備精細(xì)線路的工藝，最低的有效蝕刻線寬線距通常為45μm/45μm左右。為解決上述問(wèn)題，可通過(guò)采用閃蝕工藝處理精細(xì)線路，閃蝕工藝最早使用在載板和類(lèi)載板技術(shù)領(lǐng)域，工藝管控十分嚴(yán)格，將閃蝕應(yīng)用在線路板領(lǐng)域的嘗試很早就已開(kāi)始，近年來(lái)逐漸發(fā)展成熟。但是目前閃蝕藥水種類(lèi)和效果有限，蝕刻效率不足，蝕刻線路的線寬線距一般最低到45μm/45μm左右，低于這一數(shù)值則可靠性大大下降，同時(shí)現(xiàn)有閃蝕藥水和處理工藝成本高、流程冗長(zhǎng)、管控復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

為此，本發(fā)明正是要解決上述技術(shù)問(wèn)題，從而提出一種可提高線路精細(xì)化程度、成本低廉、處理過(guò)程簡(jiǎn)單、易于管控的適用于MSAP工藝的閃蝕藥水。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供一種適用于MSAP工藝的閃蝕藥水，所述閃蝕藥水包括用于保護(hù)線路側(cè)壁的護(hù)岸劑、用于加速蝕刻的潤(rùn)濕劑和用于維持藥水體系穩(wěn)定性的穩(wěn)定劑，所述護(hù)岸劑、潤(rùn)濕劑和穩(wěn)定劑均為有機(jī)物，其中，所述護(hù)岸劑的濃度為10-1000ppm，所述潤(rùn)濕劑的濃度為100-5000ppm，所述穩(wěn)定劑的濃度為1-100ppm。

作為優(yōu)選，所述護(hù)岸劑的結(jié)構(gòu)式為

作為優(yōu)選，所述R₁、R₂均為氫、烷基、苯基、取代苯基或含氮芳香基團(tuán)中的一種或兩種。

作為優(yōu)選，所述潤(rùn)濕劑為碳原子數(shù)2-10的飽和脂肪族二醇、三醇或飽和脂肪族二醇、三醇的一縮、二縮、三縮合物中的一種或兩種。

作為優(yōu)選，所述穩(wěn)定劑為甘氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、半胱氨酸、酪氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺中的一種或兩種。