[發明專利]光對準信號處理方法、光柵對準方法以及對準系統

有效

• 申請號: 201711384841.7
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN109946927B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王麗;王海江;程鵬
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了光對準信號處理方法，包括以下步驟：步驟1、光信號采集模塊采集對準測量的多級次光信號信息；步驟2、濾波模塊對所述多級次光信號信息處理，并允許a級次光信號信息通過；步驟3、對所述a級次光信號信息進行處理、分析，得到對準信息；其中，所述a級次光信號信息可以為1、3、5……級次光信號信息中的一個或多個。本發明提供的光對準信號處理方法、光柵對準方法以及對準系統能夠使得對準精度高。

技術領域

本發明屬于光刻技術領域，涉及光對準信號處理方法、光柵對準方法以及對準系統。

背景技術

在半導體IC集成電路制造過程中，一個完整的芯片通常需要經過多次光刻曝光才能制作完成。除了第一次光刻外，其余層次的光刻在曝光前都要將該層次的圖形與以前層次曝光留下的圖形進行精確定位，這樣才能保證每一層圖形之間有正確的相對位置，即套刻精度。通常情況下，套刻精度為光刻機分辨率指標的1/3～1/5，對于100納米的光刻機而言，套刻精度指標要求小于35nm。套刻精度是投影光刻機的主要技術指標之一，而掩模與硅片之間的對準精度是影響套刻精度的關鍵因素。當特征尺寸CD要求更小時，對套刻精度的要求以及由此產生的對準精度的要求變得更加嚴格，如90nm的CD尺寸要求10nm或更小的對準精度。

現有的光柵成像對準分系統光學模塊輸出的是各級次匯聚在一起的光信號(只有奇級次光信號)，m級次(低級次)與n級次(高級次)的能量理論比值為：n²：m²。按現有的對準流程，在精對準階段，電子采集模塊根據同步信號上傳給軟件各級次匯聚在一起的光信號，這極大地限制了電子采集模塊處理信號的動態范圍和精度，容易使得對準精度差。

發明內容

本發明的目的在于提供光對準信號處理方法、光柵對準方法以及對準系統，旨在解決上述技術問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種光對準信號處理方法，包括以下步驟：

步驟1、光信號采集模塊采集對準測量的多級次光信號信息；

步驟2、濾波模塊對所述多級次光信號信息處理，并允許a級次光信號信息通過；

步驟3、對所述a級次光信號信息進行處理、分析，得到對準信息；

其中，所述a級次光信號信息可以為1、3、5......級次光信號信息中的一個或多個。

本發明進一步設置為，所述濾波模塊由濾波控制模塊進行控制，所述濾波控制模塊控制所述濾波模塊對所述多級次光信號信息進行篩選。

本發明進一步設置為，所述濾波模塊包括若干個濾波器和若干個開關，所述開關控制所述多級次光信號信息進入選定的濾波器。

本發明進一步設置為，所述步驟1包括：

對所述光信號進行采集，并對采集到的所述光信號的信息進行放大得到所述多級次光信號信息。

本發明進一步設置為，所述步驟3包括：

信號處理模塊接受所述a級次光信號信息，并將所述a級次光信號信息轉換為數字信號；

分析所述數字信號，得到對準信息。

本發明進一步設置為，還包括對所述數字信號解析處理，得到對準信息。

本發明還提供了一種光柵對準方法，包括有如上任一項所述的對準信號處理方法，即：

S1，將光信號轉化為電流信號；

S2，S1中的電流信號放大為電壓信號；

S3，對電壓信號進行選擇，保留需要的信號信息；

S4，保留的信號信息通過自動增益放大到固定電壓值；