[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201711384007.8 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN108231625B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 阿部智昭;長谷川孝祐;門部雅人 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,具有:
處理容器;
基板保持器具,其保持多個基板,被裝載于所述處理容器和從所述處理容器卸載;以及
吸氣管道,其具備吸氣口,該吸氣管道與處于從所述處理容器卸載后的卸載位置處的所述基板保持器具的周圍相向地配置,
其中,所述吸氣管道具有:
固定管道部,其構成所述吸氣管道的主體;以及
可動管道部,其容納于所述固定管道部,構成所述吸氣口;
所述基板處理裝置還具有控制部,該控制部以使所述吸氣口在所述卸載位置處靠近所述基板保持器具的方式驅動所述可動管道部。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述可動管道部設置有凸緣。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述可動管道部具有至少一個分隔壁,該至少一個分隔壁用于將所述可動管道部的內部在高度方向上分隔為多個空間。
4.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述吸氣管道由配置在上端、下端以及中間的三個吸氣管道構成。
5.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述吸氣管道由多個吸氣管道構成,所述多個吸氣管道中的至少一個吸氣管道配置在與其它吸氣管道不同的水平位置處。
6.一種基板處理方法,具有以下工序:
從處理容器卸載保持著多個基板的基板保持器具;
以使吸氣口在卸載位置處靠近所述基板保持器具的方式驅動具備所述吸氣口的至少一個吸氣管道,該至少一個吸氣管道與處于從所述處理容器卸載后的所述卸載位置處的所述基板保持器具的周圍相向地配置;以及
使所述吸氣管道工作;
其中,所述吸氣管道具有:
固定管道部,其構成所述吸氣管道的主體;以及
可動管道部,其容納于所述固定管道部,構成所述吸氣口,
其中,以使所述吸氣口在所述卸載位置處靠近所述基板保持器具的方式驅動所述可動管道部。
7.根據權利要求6所述的基板處理方法,其特征在于,
使所述可動管道部靠近所述基板保持器具的定時是所述基板保持器具到達所述卸載位置的定時。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





