[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711383678.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108321082A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 西脅剛
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/268
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 蘇卉;高培培

本發明提供一種半導體裝置的制造方法，抑制在向半導體基板的表面照射光來激活雜質時半導體基板背面的溫度上升。在光吸收層形成工序中，在具有表面和背面的半導體基板的表面上或內部形成光吸收率高于相鄰半導體層的光吸收率的光吸收層。在此，以使光吸收層分布在比背面接近表面的范圍內的方式形成光吸收層。在高濃度層形成工序中，通過向半導體基板注入雜質而形成雜質濃度上升的高濃度層。在加熱工序中，通過對高濃度層進行加熱而激活高濃度層內的雜質。光吸收層形成工序和高濃度層形成工序以使光吸收層與高濃度層至少局部重疊的方式實施。在對高濃度層進行加熱的工序中，通過從表面側朝著高濃度層照射光而對高濃度層進行加熱。

技術領域

本說明書公開的技術涉及半導體裝置的制造方法。

背景技術

專利文獻1公開了一種技術，向半導體基板的表面注入雜質，然后向該表面照射激光，由此激活注入到半導體基板上的雜質。而且，在該技術中，通過向半導體基板的表面照射脈沖寬度不同的兩種激光，來抑制半導體基板的背面(被照射光的半導體基板的與表面相反一側的面)的溫度上升。

在先技術文獻

專利文獻1：日本特開2014-036110號公報

發明內容

發明要解決的課題

近年來，半導體基板越發薄型化。因此，在通過照射光來激活半導體基板內的雜質時，背面的溫度容易上升。因此，在本說明書中，提供另一種技術，在向半導體基板的表面照射光來激活雜質時，能夠良好地抑制半導體基板的背面的溫度上升。

用于解決課題的方案

本說明書公開的半導體裝置的制造方法具有光吸收層形成工序、高濃度層形成工序及加熱工序。在上述光吸收層形成工序中，在具有表面和背面的半導體基板的上述表面上或內部形成光吸收率高于相鄰半導體層的光吸收率的光吸收層。在此，以在形成了上述光吸收層之后的上述半導體基板中上述光吸收層分布在比上述背面接近上述表面的范圍內的方式來形成上述光吸收層。在上述高濃度層形成工序中，通過向上述半導體基板注入雜質而形成雜質濃度上升的高濃度層。在上述加熱工序中，通過對上述高濃度層進行加熱而激活上述高濃度層內的雜質。上述光吸收層形成工序和上述高濃度層形成工序以使上述光吸收層與上述高濃度層至少局部重疊的方式實施。在對上述高濃度層進行加熱的工序中，通過從上述表面側朝著上述高濃度層照射光而對上述高濃度層進行加熱。

另外，光吸收層可以形成在原來的半導體基板(形成光吸收層之前的半導體基板)的表面上，也可以形成在原來的半導體基板的內部。在原來的半導體基板的表面上形成光吸收層的情況下，將光吸收層和原來的半導體基板整體稱為形成了光吸收層之后的半導體基板。即，形成了光吸收層之后的半導體基板包含光吸收層。

另外，光吸收層形成工序和高濃度層形成工序哪個先實施均可。在光吸收層形成工序之后實施高濃度層形成工序的情況下，高濃度層只要是與光吸收層至少局部重疊的范圍即可，可以形成于任意范圍。例如，高濃度層可以僅形成于光吸收層的內部，高濃度層也可以橫跨光吸收層的內部和外部地形成。而且，在高濃度層形成工序之后實施光吸收層形成工序的情況下，光吸收層只要是與高濃度層至少局部重疊的范圍即可，可以形成于任意范圍。例如，光吸收層可以僅形成于高濃度層的內部，光吸收層也可以橫跨高濃度層的內部和外部地形成。

在該制造方法中，在加熱工序中，從半導體基板的表面側朝著高濃度層照射光。照射的光在光吸收層中被高效地吸收，光吸收層被高效地加熱。由于光吸收層與高濃度層至少局部重疊，因此高濃度層也被高效地加熱。這樣，高濃度層被高效地加熱，激活了高濃度層內的雜質。而且，光吸收層中的光的吸收率高，因此到達比光吸收層靠背面側的位置的光較少。因此，抑制了比光吸收層靠背面側的位置的溫度上升。因此，能抑制半導體基板的背面的溫度上升。因此，根據該制造方法，能夠在抑制背面的溫度上升的同時，激活高濃度層內的雜質。

附圖說明

圖1是半導體裝置的剖視圖。