[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711383678.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108321082A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 西脅剛
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/268
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 蘇卉;高培培

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在具有表面和背面的半導體基板的所述表面上或內部形成光吸收率高于相鄰半導體層的光吸收率的光吸收層的工序，以在形成了所述光吸收層之后的所述半導體基板中所述光吸收層分布在比所述背面靠近所述表面的范圍內的方式來形成所述光吸收層；

通過向所述半導體基板注入雜質而形成雜質濃度上升的高濃度層的工序；及

通過對所述高濃度層進行加熱而激活所述高濃度層內的雜質的工序，

形成所述光吸收層的工序和形成所述高濃度層的工序以使所述光吸收層與所述高濃度層至少局部重疊的方式實施，

在對所述高濃度層進行加熱的工序中，通過從所述表面側朝著所述高濃度層照射光而對所述高濃度層進行加熱。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述高濃度層具有主要層，所述主要層具有所述高濃度層的雜質濃度上升量的峰值的10％以上的雜質濃度上升量，

形成所述光吸收層的工序和形成所述高濃度層的工序以使所述光吸收層與所述主要層至少局部重疊的方式實施。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

形成所述光吸收層的工序和形成所述高濃度層的工序以使所述光吸收層整體位于所述主要層內的方式實施。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

形成所述光吸收層的工序和形成所述高濃度層的工序以使所述高濃度層的雜質濃度上升量的峰值的位置與所述光吸收層重疊的方式實施。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述光吸收層是通過向所述半導體基板注入非活性離子而使晶體缺陷密度上升的區域。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述光吸收層是在形成所述光吸收層之前的所述半導體基板的表面上生長而成的非晶層。

7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其中，在對所述高濃度層進行加熱的工序中，使所述光吸收層結晶。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述半導體基板是硅基板，

所述光吸收層是非晶硅層。