[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711383470.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN108206181B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李基碩;金大益;黃有商;金奉秀;樸濟(jì)民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H10B12/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：襯底，其包括單元有源區(qū)和外圍有源區(qū)；直接接觸件，其排列在形成在所述襯底上的單元絕緣圖案上，并且連接至所述單元有源區(qū)；位線結(jié)構(gòu)，其包括與所述直接接觸件的側(cè)表面接觸的薄導(dǎo)電圖案；以及外圍柵極結(jié)構(gòu)，其位于所述外圍有源區(qū)。所述外圍柵極結(jié)構(gòu)包括外圍柵極絕緣圖案和外圍柵極導(dǎo)電圖案的堆疊結(jié)構(gòu)，所述薄導(dǎo)電圖案包括第一材料，并且所述外圍柵極導(dǎo)電圖案包括所述第一材料，并且所述薄導(dǎo)電圖案的上表面的水平比所述外圍柵極導(dǎo)電圖案的上表面的水平更低。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年12月20日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2016-0174770的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的公開以引用方式全文并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體裝置，并且更具體地說，涉及一種包括直接接觸件和位線的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

根據(jù)電子工業(yè)和用戶需求的快速發(fā)展，隨著電子裝置變得更小和更輕，當(dāng)在電子裝置中使用時(shí)需要具有高集成度的半導(dǎo)體裝置，并且用于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的設(shè)計(jì)規(guī)則減少和/或收緊了。結(jié)果，包括半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電圖案的線的寬高比增大了。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種包括寬高比減小的位線的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

本發(fā)明構(gòu)思不限于以上目標(biāo)，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員從下面的說明中可清楚地理解其它未描述的目標(biāo)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：襯底，其包括單元有源區(qū)和外圍有源區(qū)；直接接觸件，其排列在形成于所述襯底上的單元絕緣圖案上，并且連接至所述單元有源區(qū)；位線結(jié)構(gòu)，其包括與所述直接接觸件的側(cè)表面接觸的薄導(dǎo)電圖案；以及外圍柵極結(jié)構(gòu)，其位于所述外圍有源區(qū)。所述外圍柵極結(jié)構(gòu)包括外圍柵極絕緣圖案和外圍柵極導(dǎo)電圖案的堆疊結(jié)構(gòu)，所述薄導(dǎo)電圖案包括第一材料，并且所述外圍柵極導(dǎo)電圖案包括所述第一材料，并且所述薄導(dǎo)電圖案的上表面的水平比所述外圍柵極導(dǎo)電圖案的上表面的水平更低。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：襯底，其包括單元有源區(qū)和外圍有源區(qū)；單元絕緣圖案，其位于所述單元有源區(qū)中，所述單元絕緣圖案包括直接接觸孔；薄導(dǎo)電圖案，在所述薄導(dǎo)電圖案中，填充所述直接接觸孔的第一區(qū)與均勻地覆蓋所述單元絕緣圖案的上表面和所述第一區(qū)的上表面的第二區(qū)鄰近；位線，其包括所述第二區(qū)并且在所述單元有源區(qū)中在一個(gè)方向上延伸；以及外圍柵電極，其位于所述外圍有源區(qū)中并且包括外圍柵極導(dǎo)電圖案。所述位線的頂表面的水平比所述外圍柵電極的頂表面的水平更低。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：襯底；外圍柵極區(qū)，其包括所述襯底上的外圍柵極結(jié)構(gòu)，所述外圍柵極結(jié)構(gòu)具有上表面，并且具有從所述襯底的表面至所述外圍柵極結(jié)構(gòu)的上表面的第一高度；單元陣列區(qū)，其包括位線結(jié)構(gòu)，所述位線結(jié)構(gòu)具有從所述襯底的所述表面至所述位線結(jié)構(gòu)的上表面的第二高度，所述第二高度比所述第一高度更低；以及掩埋接觸件，其位于所述襯底中，所述掩埋接觸件包括連接至所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)部。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，將更加清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的單元陣列區(qū)的主要構(gòu)造的平面圖；

圖2至圖14是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的按照工藝順序的制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖；

圖15至圖27是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的按照工藝順序的制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖；以及

圖28是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的構(gòu)造圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例。