[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201711383470.0
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108206181B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 李基碩;金大益;黃有商;金奉秀;樸濟民
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H10B12/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括單元有源區和外圍有源區；

直接接觸件，其排列在形成于所述襯底上的單元絕緣圖案上，并且連接至所述單元有源區；

位線結構，其包括與所述直接接觸件的側表面接觸的薄導電圖案；以及

外圍柵極結構，其位于所述外圍有源區，所述外圍柵極結構包括外圍柵極絕緣圖案和外圍柵極導電圖案的堆疊結構，

其中，所述薄導電圖案包括第一材料，并且所述外圍柵極導電圖案包括所述第一材料，所述薄導電圖案是經過蝕刻處理而變薄的導電圖案，

所述薄導電圖案的上表面的水平比所述外圍柵極導電圖案的上表面的水平更低，并且

所述位線結構包括所述薄導電圖案上的金屬導電圖案和絕緣封蓋層，并且所述外圍柵極結構包括所述外圍柵極導電圖案上的金屬導電圖案和絕緣封蓋層，所述位線結構的金屬導電圖案的頂表面的水平比所述外圍柵極結構的金屬導電圖案的頂表面的水平更低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述直接接觸件包括具有第一摻雜濃度的第二半導體材料，并且所述薄導電圖案包括具有第二摻雜濃度的第三半導體材料。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述直接接觸件包括磷(P)和砷(As)中的至少一種摻雜劑，其摻雜濃度為1E19至1E22原子/cm³，并且

所述薄導電圖案包括P、As和硼(B)中的至少一種摻雜劑，其摻雜濃度為1E14至1E17原子/cm³。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述薄導電圖案包括具有至少一種第一摻雜劑的第一半導體材料，并且所述外圍柵極導電圖案包括具有所述至少一種第一摻雜劑的所述第一半導體材料，并且所述至少一種第一摻雜劑在所述薄導電圖案中的摻雜濃度等于所述至少一種第一摻雜劑在所述外圍柵極導電圖案中的摻雜濃度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述單元絕緣圖案的上表面的水平等于所述外圍柵極絕緣圖案的上表面的水平。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述直接接觸件的上表面的水平等于所述薄導電圖案的上表面的水平。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述直接接觸件的上表面的水平比所述外圍柵極導電圖案的上表面的水平更低。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述位線結構的上表面的水平比所述外圍柵極結構的上表面的水平更低。

9.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括單元有源區和外圍有源區；

單元絕緣圖案，其位于所述單元有源區中，所述單元絕緣圖案包括直接接觸孔；

薄導電圖案，在所述薄導電圖案中，填充所述直接接觸孔的第一區與均勻地覆蓋所述單元絕緣圖案的上表面和所述第一區的上表面的第二區連續；

位線，其包括所述第二區并且在所述單元有源區中在一個方向上延伸；以及

外圍柵電極，其位于所述外圍有源區中并且包括外圍柵極導電圖案，

其中，所述薄導電圖案是經過蝕刻處理而變薄的導電圖案，

所述位線的頂表面的水平比所述外圍柵電極的頂表面的水平更低，并且

所述位線包括所述第二區上的金屬導電圖案和絕緣封蓋層，并且所述外圍柵電極包括所述外圍柵極導電圖案上的金屬導電圖案和絕緣封蓋層，所述位線的金屬導電圖案的頂表面的水平比所述外圍柵電極的金屬導電圖案的頂表面的水平更低。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

所述單元絕緣圖案的上表面的水平等于所述第一區的上表面的水平。