[發明專利]像素結構及像素結構制造方法

有效

• 申請號: 201711382017.8
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108122931B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 羅方禎;威廉·丹·波爾;林祥麟
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種像素結構，其特征在于，用于具有一基板的一顯示器面板中，該像素結構包含：

一開關元件，包含：

一柵極電極，設置于該基板上；

一第一介電層，設置于該柵極電極上；

一半導體層，設置于該第一介電層上；以及

一漏極電極與一源極電極，設置于該半導體層上，該第一介電層具有等于或大于8的介電常數；

一儲存電容，包含一第一電容電極、一第二電容電極、一第三電容電極、一鈍化層以及一第二介電層，該鈍化層設置于該第二電容電極與該第三電容電極之間，該第二介電層設置于該第一電容電極與該第二電容電極之間，該第二介電層具有等于或大于8的介電常數；

一第一信號線，電性連接至該源極電極；

一第二信號線，電性連接至該柵極電極；以及

一共用線，電性連接至該儲存電容，其中該第一信號線、該第二信號線以及該共用線中的兩者于一跨越區彼此跨越于一第三介電層上方，該第三介電層具有等于或小于5的介電常數。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該開關元件更包含一絕緣層，該絕緣層設置于該第一介電層與該半導體層之間。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，該開關元件更包含：

另一鈍化層，設置于該漏極電極與該源極電極上，以及

一第二柵極電極，設置于該另一鈍化層上，該第二柵極電極電性通過一通孔連接至該柵極電極。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一信號線以及該第二信號線于一第一跨越區彼此跨越，且該共用線以及該第二信號線于一第二跨越區彼此跨越，且其中該第三介電層至少在該第一跨越區設置于該第一信號線以及該第二信號線之間，以及至少在該第二跨越區設置于該共用線以及該第二信號線之間。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一信號線以及該第二信號線于一第一跨越區彼此跨越，且該共用線以及該第一信號線于一第二跨越區彼此跨越，且其中該第三介電層至少在該第一跨越區設置于該第一信號線以及該第二信號線之間，以及至少在該第二跨越區設置于該共用線以及該第一信號線之間。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一第四介電層，設置于該第二信號線上；以及

另一鈍化層，設置于該第四介電層上以及該共用線上，該第四介電層具有等于或大于8的介電常數，其中該第一信號線以及該第二信號線于一第一跨越區彼此跨越，且該共用線以及該第一信號線于一第二跨越區彼此跨越，且其中

該第三介電層至少在該第一跨越區設置于該另一鈍化層上并介于該第一信號線與該第二信號線之間，以及至少在該第二跨越區設置于該另一鈍化層上并介于該共用線與該第一信號線之間。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一第四介電層，設置于該第二信號線上與該共用線上；以及

另一鈍化層，設置于該第四介電層上，該第四介電層具有等于或大于8的介電常數，其中該第一信號線以及該第二信號線于一第一跨越區彼此跨越，且其中

該第三介電層至少在該第一跨越區設置于該另一鈍化層上并介于該第一信號線以及該第二信號線之間。

8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，該共用線與該第一信號線于一第二跨越區彼此跨越，且其中

該第三介電層至少在該第二跨越區設置于該另一鈍化層上并介于該共用線與該第一信號線之間。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一像素電極，電性連接至該漏極電極，其中該第三電容電極電性連接至該像素電極，該第二電容電極電性連接至該共用線，以及該第一電容電極通過一通孔電性連接至該第三電容電極。

10.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一電容電極電性連接至該共用線，該第二電容電極電性連接至該漏極電極，且該第一電容電極通過一通孔電性連接至該第三電容電極。