[發明專利]一種降低MOS管應力效應的方法

有效

• 申請號: 201711378886.3
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108109922B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 王鵬鵬;李春杰
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

提供一襯底，于所述襯底上形成淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構分隔所述襯底以形成至少一個有源區，于每個所述有源區形成柵極圖形以分隔所述有源區并形成源漏極制備區；

還包括以下步驟：

步驟S1，以一第一粒子對所述源漏極制備區進行一第一注入工藝；

步驟S2，以一第二粒子對所述源漏極制備區進行一第二注入工藝；

步驟S3，以一第三粒子對所述源漏極制備區進行一第三注入工藝；

步驟S4，對所述源漏極制備區進行熱處理工藝；

在所述步驟S1中，所述第一粒子為碳原子。

2.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

在所述步驟S1中，所述第一注入工藝的粒子注入方向與所述襯底具有一預設角度。

3.根據權利要求2所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述預設角度為90度。

4.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述碳原子的注入能量范圍為10～50keV。

5.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述碳原子的注入劑量為1013/cm2～1015/cm2。

6.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述第二粒子為砷離子；和/或

所述第三粒子為磷離子。

7.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述第二粒子具有一第一劑量，所述第三粒子具有一第二劑量，所述第一劑量與所述第二劑量的比值為20～50。

8.根據權利要求7所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

所述第一劑量和所述第二劑量的比值為35。

9.根據權利要求1所述的降低MOS管應力效應的方法，其特征在于，

在所述步驟S4中，所述熱處理工藝具有一預設溫度，所述預設溫度為1020攝氏度；和/或

所述熱處理工藝持續一預設時間，所述預設時間為16秒。