[發明專利]一種三層芯片集成方法

在審

• 申請號: 201711378869.X
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108063097A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 曹靜;胡勝
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種三層芯片集成方法，其特征在于，提供一具有第一金屬互連層的第一襯底、一具有第二金屬互連層的第二襯底和一具有第三金屬互連層的第三襯底，包括以下步驟：

步驟S1，所述第一襯底的第一鍵合面和所述第二襯底的第二鍵合面相對設置后進行混合鍵合；

步驟S2，對所述第二襯底減薄第一預定厚度；

步驟S3，在所述第二襯底中對應所述第二金屬互連層的位置進行第一金屬線的引出，引出所述第一金屬線的面作為第四鍵合面；

步驟S4，對所述第二襯底的所述第四鍵合面和所述第三襯底的第三鍵合面進行混合鍵合；

步驟S5，對所述第三襯底減薄第二預定厚度；

步驟S6，于所述第三襯底中對應所述第三金屬互連層的位置進行第二金屬線的引出，并于所述第三襯底表面形成一SiN層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中的混合鍵合時，所述第一襯底位于所述第二襯底下方，且所述第一金屬互連層對準所述第二金屬互連層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中所述金屬線的引出包括以下步驟：

步驟S31，在所述第二襯底中對應所述第二金屬互連層的位置形成接觸孔；

步驟S32，于所述接觸孔內填充一金屬層；

步驟S33，對所述金屬層進行研磨，至露出所述第二襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中的混合鍵合為將所述第三襯底中的所述第三金屬互連層對準所述第一金屬線，隨后進行鍵合。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬互連層采用銅、鎳、錫、錫銀合金、錫銀銅合金中一種或多種的組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S6中，所述第二金屬線的引出使用硅穿孔工藝。