[發明專利]利用霍爾效應測量鐵基表面上非磁性涂層的探頭在審
| 申請號: | 201711378754.0 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108592776A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 陳凱;林輝 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | G01B7/06 | 分類號: | G01B7/06 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探頭 底端 壓力底座 上蓋 磁端 彈簧 非磁性涂層 霍爾效應 螺紋連接 鐵基表面 測量 內螺紋 外螺紋 平動 軸向 涂層測厚儀 機械裝置 間隙配合 探頭底座 底座 尾柱 位槽 | ||
利用霍爾效應測量鐵基表面上非磁性涂層的探頭,涉及涂層測厚儀。設有探頭底端、探頭磁端、壓力底座、壓力上蓋、彈簧和接觸底座;所述探頭底座和探頭磁端為測量部分,壓力底座、壓力上蓋和彈簧為機械裝置,壓力底座與壓力上蓋通過螺紋連接,其中壓力底座為外螺紋,壓力上蓋為內螺紋;所述彈簧嵌于探頭磁端的尾部和壓力上蓋的尾柱之間,探頭底端的尾部設有2個突出的卡位鍵,探頭底端尾部的卡位鍵與壓力底座尾部的卡位槽間隙配合,進而限制探頭底端軸向的旋轉和xy平面的平動,使得探頭底端能沿其軸向平動;探頭底端和探頭磁端間通過螺紋連接,其中探頭底端為內螺紋,探頭磁端為外螺紋。
技術領域
本發明涉及涂層測厚儀,尤其是涉及利用霍爾效應測量鐵基表面上非磁性涂層的探頭。
背景技術
現有的磁性測厚方法,主要通過測量磁路磁阻的變化來間接地測量涂層的厚度,即當探頭與涂層接觸時,探頭與磁性金屬基體構成一條閉合磁路,由于非磁性涂層的存在,往探頭內線圈通入高頻正弦激勵信號時,磁路磁阻變化,可以通過這一變化來計算得到涂層的厚度。
現有的磁性非磁性通用電渦流測厚方法為:當探頭與被測試樣接觸時,探頭裝置所產生的高頻電磁場,使置于探頭下的金屬導體產生渦流,其振幅和相位是導體與探頭之間非導電覆蓋層厚度的函數。即該渦流產生的交變電磁場會改變探頭參數,而探頭參數變量的大小則取決于涂鍍層的厚度。通過測量探頭參數變量的大小,并將這一電信號轉換處理,即可得到被測涂鍍層的厚度值。
傳統的磁性測量方法與電渦流測量方法都是通過線圈式結構,以高頻正弦激勵信號為輸入信號來產生電磁場進而測量涂層的厚度。
目前在國內典型渦流測厚儀如時代集團公司研制的TT230型數宇式覆層測厚儀是國內率先實現儀器主機與探頭一體化,待測基體最小曲率半徑為凸3mm,凹10mm,基體最小而積的直徑Φ5mm,基體臨界厚度為0.3mm。國外先進的涂層測厚儀,如Quanix1500型測厚儀,它實現了同一儀器兼顧磁性與渦流兩種測厚原理,通過主機正反兩側各自獨立的鑲有紅寶石探針的內置式測頭,即可應用磁性方法測量鋼鐵等磁性基體上非磁性涂鍍層厚度,也可應用渦流方法測量鋁、銅等非磁性金屬基體上非導電覆蓋層厚度。其渦流法的測量范圍為0~200μm,測量精度2%~5%。
發明內容
本發明的目的是提供成本低、精度高的利用霍爾效應測量鐵基表面上非磁性涂層的探頭。
本發明設有探頭底端、探頭磁端、壓力底座、壓力上蓋、彈簧和接觸底座;所述探頭底座和探頭磁端為測量部分,壓力底座、壓力上蓋和彈簧為機械裝置,壓力底座與壓力上蓋通過螺紋連接,其中壓力底座為外螺紋,壓力上蓋為內螺紋;所述彈簧嵌于探頭磁端的尾部和壓力上蓋的尾柱之間,探頭底端的尾部設有2個突出的卡位鍵,探頭底端尾部的卡位鍵與壓力底座尾部的卡位槽間隙配合,進而限制探頭底端軸向的旋轉和xy平面的平動,使得探頭底端能沿其軸向平動;探頭底端和探頭磁端間通過螺紋連接,其中探頭底端為內螺紋,探頭磁端為外螺紋。
本發明內嵌有線性霍爾芯片以及永久磁鐵,霍爾芯片嵌在探頭底端,探頭底端直接與鐵基表面貼合;永久磁嵌在探頭磁端的頭部,永久磁鐵通過螺紋與探頭底端配合。
所述探頭磁端的頭部嵌有1個D5*1和磁鐵表磁強度為1200Gauss的圓形銣鐵硼永久磁。若鐵基等磁性金屬基體較厚(>1000um)或涂層較厚(>2cm)時,可在探頭磁端再嵌入一個同規格同型號的磁鐵來加強磁性。探頭底端嵌有線性霍爾芯片,根據不同的需求采用不同的型號:霍尼韋爾SS495A2芯片用于高精度測量,霍尼韋爾SS496A1芯片用于大量程測量,霍尼韋爾SS495A1芯片用于高穩定測量。所述霍爾芯片可置于永久磁之下,基體之上。所述霍爾芯片可采用霍尼韋爾公司的SS495A1芯片、SS496A1芯片、SS495A2芯片等中的一種。所述磁鐵與霍爾芯片表面存在間隙可為2mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門大學,未經廈門大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711378754.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





