[發明專利]一種太陽能電池電性能測試裝置在審
| 申請號: | 201711378598.8 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108133898A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 孫飛龍;陳軍;唐喜顏;趙許飛;吳建軍;李華 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 張弘 |
| 地址: | 225314 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試臺 電流電壓 電性能測試裝置 太陽能電池 銅導電條 匯流 導電絲 銅導線 自動化傳輸裝置 短路電流測試 測試電性能 背面電極 測試電池 導電接觸 導電絲組 伸縮彈簧 升降裝置 雙面電池 主體框架 電池量 吸附孔 臺面 基底 反射 馬達 | ||
本發明提供一種太陽能電池電性能測試裝置,包括上測試臺和下測試臺,上測試臺包括用于測試電池片正面的電流電壓的銅導電絲組、用于調節銅導電絲張力的伸縮彈簧、分別連接所有電流電壓銅導電絲的匯流銅導線、主體框架、以及連接馬達的升降裝置;下測試臺包括基底、銅導電條、分別連接所有電流電壓銅導電條的匯流銅導線及吸附孔。該裝置可以避免因臺面反射造成的短路電流測試虛高問題,同時也解決了雙面電池正面和背面電極導電接觸的問題,通過與自動化傳輸裝置集成,解決了此類電池量產條件下測試電性能的可行性。
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池電性能測試裝置,屬于太陽能電池領域。
背景技術
太陽能電池是利用光伏效應,將光能轉化為電能的器件。目前主流的商業化電池的基底是晶體硅材料,在P型硅晶體上采用先進的PERC工藝,一般情況下,這種電池是單面結構的,其中主柵為主流的3-5柵。若要將P型PERC電池制作成雙面結構,同時將正面電極與背面電極取消傳統的主柵,設計成無主柵或者多根細主柵。這樣的結構下,僅僅在細柵上形成導電接觸。那么傳統的太陽能電池電性能測試儀的壓主柵的探針排結構則不能用于測試零主柵/多主柵電池。如果此類零主柵/多主柵電池設計成雙面結構,那么就需要對測試臺的反射率有一定的要求(反射率<5%),這樣就能消除測試臺反射率對雙面電池短路電流測試的影響。
由于這類雙面電池具有一定的透射率,常規測試臺面因為是銅板臺面,具有較高的反射率,在測試電池效率時,電池的透射加上臺面的反射,造成電池在長波段,具有較強的背面吸收,導致短路電流測試虛高,造成測試的不確定性。
發明內容
本發明的目的是提供一種測試單面雙面零主柵/多主柵太陽能電池效率的測試裝置,該裝置可以避免因臺面反射造成的短路電流測試虛高問題,同時也解決了雙面電池正面和背面電極導電接觸的問題,通過與自動化傳輸裝置集成,解決了此類電池量產條件下測試電性能的可行性。
為達到上述目的,本發明的技術解決方案是:
一種太陽能電池電性能測試裝置,包括上測試臺和下測試臺;上測試臺和下測試臺通過帶有馬達的升降裝置連接;
所述的上測試臺包括主體框架、上電流匯流銅導線和上電壓匯流銅導線,主體框架下端設置有用于和太陽能電池正面接觸的銅導電絲組,銅導電絲組中的所有電流銅導電絲與上電流匯流銅導線電連接用于電流匯集并導出,銅導電絲組中的所有電壓銅導電絲與上電壓匯流銅導線電連接用于電壓匯集并導出;
所述的下測試臺包括測試基臺、下電流匯流銅導線和下電壓匯流銅導線,所述的測試基臺上設置有用于和太陽能電池背面接觸的下銅導電條組,下銅導電條組中所有電流銅導電條與下電流匯流銅導線電連接,下銅導電條組中所有電壓銅導電條與下電壓匯流銅導線電連接;下銅導電條組中的每條銅導電條由一整根銅導電條構成;
所述的主體框架和升降裝置表面全部覆蓋一層黑色低反射率材質,測試基臺表面覆蓋黑色絕緣低反射率的材質。
低反射率材質的反射率在300nm-1200nm波段小于5%。
所述的主體框架下部設置有兩排支撐柱,銅導電絲組在支撐柱底部平行排布,銅導電絲組兩端與主體框架連接。
所述的銅導電絲組端部設置有伸縮彈簧,主體框架上設置有絕緣螺絲,伸縮彈簧與絕緣螺絲連接。
所述的銅導電絲組包括若干條銅導電絲,分別為測量電流的電流銅導電絲和測量電壓的電壓銅導電絲;銅導電絲采用鍍金或鍍銀銅導電絲或純銅導電絲;上電流匯流銅導線與電性能測試儀的正面電極電流端口相連,上電壓匯流銅導線與電性能測試儀的正面電極電壓端口相連。
所述的下銅導電條組包括若干條銅導電條,分別為測量電流的電流銅導電條和測量電壓的電壓銅導電條;每條銅導電條包括埋入下部和外出上部,埋入下部埋入測試基臺內,外出上部設置在測試基臺的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





