[發明專利]一種用于藍寶石平面拋光的拋光液及其制備方法有效
| 申請號: | 201711378330.4 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN107987732B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 裴亞利;陳海海;操應軍;李寶德 | 申請(專利權)人: | 北京航天賽德科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302 |
| 代理公司: | 11303 北京方韜法業專利代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 馬麗蓮 |
| 地址: | 100000 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拋光液 二氧化硅膠體 藍寶石 平面拋光 粒徑 二氧化硅顆粒 表面活性劑 抗結晶劑 拋光表面 拋光效率 去離子水 拋光 分散劑 絡合劑 消泡劑 吸附 制備 解析 平衡 配合 | ||
本發明公開了一種用于藍寶石平面拋光的拋光液及其制備方法,拋光液包括如下重量百分含量的組分:二氧化硅膠體10?50%、分散劑0.01?0.5%、抗結晶劑0.1?2%、絡合劑0.01?0.2%、表面活性劑0.01?0.5%、消泡劑0.01?0.5%,適量pH調節劑調節pH值在8.5?11.5,余量為去離子水;其中,二氧化硅膠體中的二氧化硅顆粒粒徑40?150nm,比表面積與粒徑存在如下關系:S/DS2=0.0020?0.0675,S以m2/g,DS以納米計。本發明的拋光液,各組分相互配合作用,達到吸附和解析平衡,拋光通用性好,可同時適用于A向、C向及R向藍寶石的平面拋光,拋光效率高,拋光表面質量佳。
技術領域
本發明涉及拋光技術領域,特別是涉及一種用于藍寶石平面拋光的拋光液及其制備方法。
背景技術
藍寶石是氧化鋁(Al2O3)單晶材料的通稱,可以采用人工合成制得,具有優異的化學穩定性、光學透明性、抗劃傷性和耐久性,廣泛應用于LED襯底、手機蓋板和各種光學窗口材料。藍寶石材料在實際應用時,往往需要表面具有高的光潔度,因此必須進行拋光加工,又因為其具有硬脆特性,使得拋光加工非常緩慢和費力,現階段廣泛采用的加工方法是由單面或雙面拋光設備,施加恒定向下壓力并不斷旋轉,以使拋光墊和藍寶石晶片互相摩擦,同時滴加拋光液,作用于晶片表面,通過機械和化學的雙重作用,獲得較好的表面效果,例如CN103909465A和CN105313234B。
適合于藍寶石加工的拋光液,通常采用膠體二氧化硅或氧化鋁作為磨料,例如CN102585705A、CN103571333A、CN104109481A、CN104893587A、CN104830234A,分別公開了不同的拋光液。本領域公知的,藍寶石晶體按照不同的生長方向,可以分為A向、C向、R向等,其中A向多用于各類窗口材料,C向通常用于光學系統、紅外探測器以及發光二極管的襯底材料,R向多用于半導體、微波和壓力傳感器。同時,不同晶向材料的特性差異較大,加工條件和質量要求都不同,也是本領域技術人員所公知的。目前,藍寶石拋光液通用性較差,加工不同晶向的藍寶石材料時,往往需要不同的拋光液,為加工帶來難度和不便。
由此可見,上述現有的用于藍寶石平面拋光的拋光液,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進一步改進。如何能創設一種通用性好,可同時適用于A向、C向及R向藍寶石平面拋光的拋光液,成為當前業界急需改進的目標。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種通用性好,可同時適用于A向、C向及R向藍寶石平面拋光的拋光液及其制備方法。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
一種用于藍寶石平面拋光的拋光液,包括如下重量百分含量的組分:
二氧化硅膠體10-50%
分散劑0.01-0.5%
抗結晶劑0.1-2%
絡合劑0.01-0.2%
表面活性劑0.01-0.5%
消泡劑0.01-0.5%
適量pH調節劑調節pH值在8.5-11.5,余量為去離子水;
其中,二氧化硅膠體中的二氧化硅顆粒粒徑40-150nm,比表面積與粒徑存在如下關系:S/DS2=0.0020-0.0675,S以m2/g,DS為二氧化硅膠體顆粒的平均粒徑,以納米計并采用馬爾文激光粒度儀測定。
進一步優選的,包括如下重量百分含量的組分:
二氧化硅膠體35-40%
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京航天賽德科技發展有限公司,未經北京航天賽德科技發展有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711378330.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種印染設備
- 下一篇:一種UE、基站和服務中心中的方法和設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





