[發(fā)明專利]一種用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711378330.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107987732B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 裴亞利;陳海海;操應(yīng)軍;李寶德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京航天賽德科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/302 | 分類號(hào): | H01L21/302 |
| 代理公司: | 11303 北京方韜法業(yè)專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 馬麗蓮 |
| 地址: | 100000 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光液 二氧化硅膠體 藍(lán)寶石 平面拋光 粒徑 二氧化硅顆粒 表面活性劑 抗結(jié)晶劑 拋光表面 拋光效率 去離子水 拋光 分散劑 絡(luò)合劑 消泡劑 吸附 制備 解析 平衡 配合 | ||
1.一種用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,包括如下重量百分含量的組分:
二氧化硅膠體10-50%
分散劑0.01-0.5%
抗結(jié)晶劑0.1-2%
絡(luò)合劑0.01-0.2%
表面活性劑0.01-0.5%
消泡劑0.01-0.5%
適量pH調(diào)節(jié)劑調(diào)節(jié)pH值在8.5-11.5,余量為去離子水;
其中,二氧化硅膠體中的二氧化硅顆粒粒徑40-150nm,比表面積與粒徑存在如下關(guān)系:S/DS2=0.0020-0.0675,S以m2/g,DS為二氧化硅膠體顆粒的平均粒徑,以納米計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,包括如下重量百分含量的組分:
二氧化硅膠體35-40%
分散劑0.05-0.2%
抗結(jié)晶劑0.5-1%
絡(luò)合劑0.05-0.1%
表面活性劑0.05-0.1%
消泡劑0.05-0.1%
適量pH調(diào)節(jié)劑調(diào)節(jié)pH值在9.5-10.5,余量為去離子水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述二氧化硅顆粒粒徑80-110nm,比表面積與粒徑存在如下關(guān)系:S/DS2==0.0020-0.0100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述pH調(diào)節(jié)劑采用pH酸性調(diào)節(jié)劑或pH堿性調(diào)節(jié)劑;
所述pH酸性調(diào)節(jié)劑采用鹽酸、硝酸、草酸、檸檬酸或磷酸中的任一種;
所述pH堿性調(diào)節(jié)劑采用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、三乙醇胺、乙二胺、四甲基氫氧化銨中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述分散劑采用甲基硅油和異丙醇,重量配比為1:5-10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述抗結(jié)晶劑采用山梨糖醇、乙二醇中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述絡(luò)合劑采用乙二胺四乙酸二鈉、四甲基氯化銨中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述表面活性劑采用脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、十六烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酸鈉中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液,其特征在于,所述消泡劑采用聚醚消泡劑、有機(jī)硅消泡劑中的一種或多種。
10.權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的用于藍(lán)寶石平面拋光的拋光液的制備方法,其特征在于,將所述分散劑與去離子水混合稀釋,持續(xù)攪拌,在攪拌條件下,向二氧化硅膠體水溶液中加入,再依次加入抗結(jié)晶劑、絡(luò)合劑、表面活性劑和消泡劑,最后用pH調(diào)節(jié)劑調(diào)整pH值,補(bǔ)足去離子水調(diào)節(jié)含量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





