[發明專利]一種開關穩壓器的過流保護電路在審
| 申請號: | 201711377929.6 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108306260A | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 樊茂 | 申請(專利權)人: | 晶晨半導體(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H7/12 | 分類號: | H02H7/12 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 采集模塊 比較模塊 過流保護電路 開關穩壓器 過流保護 電力電子技術領域 雙極結型晶體管 脈寬調制模塊 比較輸出 比較信號 采集信號 疊加信號 反饋信號 高溫環境 降壓模塊 斜坡信號 接地 低水平 鉗位 輸出 保證 | ||
本發明涉及電力電子技術領域,尤其涉及一種開關穩壓器的過流保護電路,包括:降壓模塊;第一采集模塊;第二采集模塊;第三采集模塊;比較模塊;比較模塊將反饋信號和斜坡信號的疊加信號與采集信號進行比較,并通過比較輸出端輸出一比較信號;脈寬調制模塊;其中,第一采集模塊與比較模塊之間連接有一端接地的一雙極結型晶體管;即使運行于高溫環境下,過流保護的鉗位點能夠保持在低水平,過流保護的及時性和有效性能夠得到保證。
技術領域
本發明涉及電力電子技術領域,尤其涉及一種開關穩壓器的過流保護電路。
背景技術
隨著微電子技術的迅猛發展,開關穩壓器由于電路結構簡單、調整方便、可靠性高等優點,在各種場合有著廣泛應用,開關穩壓器常常采用PWM(Pulse Width Modulation)控制方式,具有良好的降噪優勢。
然而,傳統的采用PWM技術進行控制的開關穩壓器,往往采用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金氧半場效晶體管,簡稱MOSFET)進行過流保護,隨著運行時間的增加,工作溫度逐漸升高,導致過流保護的鉗位點升高,無法進行及時有效的過流保護。
發明內容
針對上述問題,本發明提出了一種開關穩壓器的過流保護電路,其中,包括:
降壓模塊,包括:
用于接收輸入信號的一信號輸入端和用于輸出輸出信號的一信號輸出端;
主電路,串聯于所述信號輸入端和所述信號輸出端之間;
一第一MOS管和一第二MOS管,用于控制所述主電路的導通;
第一采集模塊,連接所述信號輸出端,以采集所述信號輸出端的所述輸出信號,并根據所述輸出信號輸出一采集信號;
第二采集模塊,連接所述信號輸出端,以采集所述信號輸出端的所述輸出信號,并根據所述輸出信號輸出斜坡信號;
第三采集模塊,用于采集所述降壓模塊中所述主電路上的工作電流并輸出一反饋信號;
比較模塊,包括:
一正相輸入端,與所述第一采集模塊連接,用于接收所述采集信號;
一第一反相輸入端,與所述第二采集模塊連接,用于接收所述斜坡信號;
一第二反相輸入端,與所述第三采集模塊連接,用于接收所述反饋信號;
一比較輸出端;
所述比較模塊將所述斜坡信號和所述反饋信號的疊加信號與所述采集信號進行比較,并通過所述比較輸出端輸出一比較信號;
脈寬調制模塊,分別連接所述比較輸出端、所述第一MOS管和所述第二MOS管,以接收并根據所述比較信號生成對應占空比的控制信號控制所述第一MOS管和所述第二MOS管;
其中,所述第一采集模塊與所述比較模塊之間連接有一端接地的一雙極結型晶體管,以對所述第一采集模塊進行過流保護。
上述的過流保護電路,其中,所述雙極結型晶體管的控制端接收一預設控制電壓。
上述的過流保護電路,其中,所述預設控制電壓為1.0V~1.5V。
上述的過流保護電路,其中,所述第一采集模塊中包括一誤差放大單元,用于將采集的所述輸出信號與一預設參考信號進行比較后放大。
上述的過流保護電路,其中,所述第一采集模塊中還包括一穩壓單元,所述穩壓單元與所述誤差放大單元的輸出口連接,以對所述誤差放大單元產生的放大后的信號進行穩壓形成所述采集信號。
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