[發(fā)明專利]一種開關(guān)穩(wěn)壓器的過流保護(hù)電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711377929.6
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108306260A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊茂
• 申請（專利權(quán)）人: 晶晨半導(dǎo)體（上海）股份有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種開關(guān)穩(wěn)壓器的過流保護(hù)電路，其特征在于，包括：

降壓模塊，包括：

用于接收輸入信號的一信號輸入端和用于輸出輸出信號的一信號輸出端；

主電路，串聯(lián)于所述信號輸入端和所述信號輸出端之間；

一第一MOS管和一第二MOS管，用于控制所述主電路的導(dǎo)通；

第一采集模塊，連接所述信號輸出端，以采集所述信號輸出端的所述輸出信號，并根據(jù)所述輸出信號輸出一采集信號；

第二采集模塊，連接所述信號輸出端，以采集所述信號輸出端的所述輸出信號，并根據(jù)所述輸出信號輸出斜坡信號；

第三采集模塊，用于采集所述降壓模塊中所述主電路上的工作電流并輸出一反饋信號；

比較模塊，包括：

一正相輸入端，與所述第一采集模塊連接，用于接收所述采集信號；

一第一反相輸入端，與所述第二采集模塊連接，用于接收所述斜坡信號；

一第二反相輸入端，與所述第三采集模塊連接，用于接收所述反饋信號；

一比較輸出端；

所述比較模塊將所述斜坡信號和所述反饋信號的疊加信號與所述采集信號進(jìn)行比較，并通過所述比較輸出端輸出一比較信號；

脈寬調(diào)制模塊，分別連接所述比較輸出端、所述第一MOS管和所述第二MOS管，以接收并根據(jù)所述比較信號生成對應(yīng)占空比的控制信號控制所述第一MOS管和所述第二MOS管；

其中，所述第一采集模塊與所述比較模塊之間連接有一端接地的一雙極結(jié)型晶體管，以對所述第一采集模塊進(jìn)行過流保護(hù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述雙極結(jié)型晶體管的控制端接收一預(yù)設(shè)控制電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述預(yù)設(shè)控制電壓為1.0V～1.5V。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一采集模塊中包括一誤差放大單元，用于將采集的所述輸出信號與一預(yù)設(shè)參考信號進(jìn)行比較后放大。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一采集模塊中還包括一穩(wěn)壓單元，所述穩(wěn)壓單元與所述誤差放大單元的輸出口連接，以對所述誤差放大單元產(chǎn)生的放大后的信號進(jìn)行穩(wěn)壓形成所述采集信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓單元包括第一穩(wěn)壓電容、第二穩(wěn)壓電容和穩(wěn)壓電阻；

所述第一穩(wěn)壓電容與所述穩(wěn)壓電阻串聯(lián)后與所述第二穩(wěn)壓電容并聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第二穩(wěn)壓電容的兩端分別連接所述雙極結(jié)型晶體管的發(fā)射極和集電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述降壓模塊中包括串聯(lián)在所述主電路中的感應(yīng)電阻；

所述第三采集模塊采集所述感應(yīng)電阻上的感應(yīng)電壓，并將所述感應(yīng)電壓乘以一反饋系數(shù)后生成所述反饋信號。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均為NMOS管。