[發明專利]一種用于鋁制程芯片的均勻去層方法

有效

• 申請號: 201711375704.7
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108091561B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 單書珊;喬彥彬;馬強;李建強
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國家電網公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67
• 代理公司: 11279 北京中譽威圣知識產權代理有限公司
• 代理人: 李曉康;張相午

1.一種用于鋁制程芯片的均勻去層方法，該鋁制程芯片的某一層結構中包括金屬布線層、位于所述金屬布線層外表面的第一阻擋層、位于所述金屬布線層內表面的第二阻擋層以及包圍在所述第一阻擋層、所述金屬布線層和所述第二阻擋層的周圍的介質通孔層，且該金屬布線層的材料為鋁，其特征在于，該均勻去層方法包括：

獲取所述金屬布線層的厚度信息、所述第一阻擋層的厚度信息、所述第二阻擋層的厚度信息以及所述第一阻擋層表面的介質通孔層的厚度信息；

根據第一計算式確定第一刻蝕時間t₁，并在所述第一刻蝕時間t₁內采用預設的刻蝕氣體刻蝕所述介質通孔層和所述第一阻擋層，其中，所述第一計算式為：

其中，v₁為所述刻蝕氣體刻蝕所述介質通孔層的速率，v₂為所述刻蝕氣體刻蝕所述阻擋層的速率，d₁為所述第一阻擋層表面的介質通孔層的厚度，d₂為所述第一阻擋層的厚度，d₃為所述金屬布線層的厚度，d₄為所述第二阻擋層的厚度；

利用橡皮磨除所述金屬布線層；

采用所述刻蝕氣體刻蝕掉所述第二阻擋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為包括CF₄、CHF₃、和O₂的混合氣體。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述CF₄、CHF₃、和O₂的體積比為(20～60):(10～30):20。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，λ＝1.5。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述刻蝕氣體刻蝕掉所述第二阻擋層包括：

根據第二計算式確定第二刻蝕時間t₂，并在所述第二刻蝕時間t₂內采用所述刻蝕氣體刻蝕掉所述第二阻擋層，其中，所述第二計算式為