[發(fā)明專利]一種半導體激光器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711373914.2
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108011291A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 胡雙元;顏建
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州矩陣光電有限公司
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 馬永芬

本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導體激光器及其制備方法，其中，該半導體激光器包括：襯底；并列形成在襯底上的檢測組件和發(fā)光組件；發(fā)光組件中的有源層在檢測組件上的投影，落入檢測組件中的吸收層的范圍內(nèi)。通過并列設置的檢測組件和發(fā)光組件，能夠降低檢測組件與發(fā)光組件的對準難度，同時使得該半導體激光器能夠自帶功率檢測功能，使用范圍較廣；且發(fā)光組件中的有源層在檢測組件上的投影，落入檢測組件中的吸收層的范圍內(nèi)，從發(fā)光組件發(fā)出的光線沿檢測組件與發(fā)光組件的排列方向進入檢測組件進行檢測，即從發(fā)光組件發(fā)出的光線側(cè)入射進入檢測組件的吸收層，延長了光線在檢測組件中的路徑，進而能夠提高檢測組件的檢測精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導體激光器及其制備方法。

背景技術(shù)

半導體激光器(Laser Diode，簡稱為LD)，具有芯片尺寸小，電光轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點，在固體激光泵浦、激光加工、激光醫(yī)療以及激光雷達等領(lǐng)域應用極其廣泛。

其中，半導體激光器的額定功率大小是激光工藝參數(shù)的重要指標，只有合適的激光功率才能保證激光器和光路系統(tǒng)長時間的穩(wěn)定工作，同時也是實現(xiàn)激光器最佳加工質(zhì)量的決定因素。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中為了能夠?qū)崟r檢測激光器的功率，在激光器的非出光端面裝入一個探測器，用來測量激光器的漏光功率；然后，根據(jù)經(jīng)驗參數(shù)，推測出激光器實際的出光功率。具體地，將單獨制備好的激光器和探測器，混合集成到一個系統(tǒng)內(nèi)，從激光器的有源層中發(fā)出的光線，被探測器的吸收層吸收，然后探測器根據(jù)吸收的光線，進行漏光功率的檢測。

然而，上述技術(shù)方案中，探測器和激光器是單獨加工的，為了提高漏光功率檢測的準確性，需要激光器的有源層與探測器的吸收區(qū)精確對位，存在較大困難。另一方面，目前所用探測器，一般為面入射探測器，其入射光方向垂直于襯底，而邊發(fā)射的激光器，其出光方向與襯底面平行，因此，難以將探測器和激光器放置于同一平面上。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中半導體激光器的出光功率檢測精度低的缺陷。

鑒于此，本發(fā)明提供一種半導體激光器，包括：

襯底；

并列形成在所述襯底上的檢測組件和發(fā)光組件；

所述發(fā)光組件中的有源層在所述檢測組件上的投影，落入所述檢測組件中的吸收層的范圍內(nèi)。

可選地，所述發(fā)光組件在靠近所述檢測組件的一側(cè)設置有第一功能層，在遠離所述檢測組件的一側(cè)設置有第二功能層。

可選地，所述有源層在所述第一功能層上的投影，落入所述第一功能層的范圍內(nèi)；

和/或，

所述有源層在所述第二功能層上的投影，落入所述第二功能層的范圍內(nèi)。

可選地，所述第一功能層為反射層，所述第二功能層為增透層。

可選地，所述發(fā)光組件包括層疊設置的第一半導體層，所述有源層以及第二半導體層，所述第一半導體層靠近所述襯底設置。

可選地，還包括層疊設置在所述第二半導體層上的第一電極層。

可選地，所述檢測組件包括層疊設置的第三半導體層，所述吸收層，以及第四半導層，所述第三半導體層靠近所述襯底設置。

可選地，還包括層疊設置在所述第四半導體層上的第二電極層。

可選地，還包括層疊設置在所述襯底遠離所述發(fā)光組件的一側(cè)的第三電極層。

本發(fā)明還提供一種半導體激光器的制備方法，包括：

提供襯底，所述襯底劃分出發(fā)光組件區(qū)和檢測組件區(qū)；