[發明專利]一種半導體激光器及其制備方法在審
| 申請號： | 201711373914.2 | 申請日： | 2017-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN108011291A | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 胡雙元;顏建 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 馬永芬 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體激光器 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體激光器，其特征在于，包括：
襯底；
并列形成在所述襯底上的檢測組件和發光組件；
所述發光組件中的有源層在所述檢測組件上的投影，落入所述檢測組件中的吸收層的范圍內。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述發光組件在靠近所述檢測組件的一側設置有第一功能層，在遠離所述檢測組件的一側設置有第二功能層。
3.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述有源層在所述第一功能層上的投影，落入所述第一功能層的范圍內；
和/或，
所述有源層在所述第二功能層上的投影，落入所述第二功能層的范圍內。
4.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一功能層為反射層，所述第二功能層為增透層。
5.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，
所述發光組件包括層疊設置的第一半導體層，所述有源層以及第二半導體層，所述第一半導體層靠近所述襯底設置。
6.根據權利要求5所述的半導體激光器，其特征在于，還包括層疊設置在所述第二半導體層上的第一電極層。
7.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述檢測組件包括層疊設置的第三半導體層，所述吸收層，以及第四半導層，所述第三半導體層靠近所述襯底設置。
8.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，還包括層疊設置在所述第四半導體層上的第二電極層。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，還包括層疊設置在所述襯底遠離所述發光組件的一側的第三電極層。
10.一種半導體激光器的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底劃分出發光組件區和檢測組件區；
在所述發光組件區上形成發光組件；
在所述檢測組件區上形成檢測組件，所述發光組件中的有源層在所述檢測組件上的投影，落入所述檢測組件中的吸收層的范圍內。
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