[發明專利]聲波諧振器及制造聲波諧振器的方法

有效

• 申請號: 201711372832.6
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108282157B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 李玲揆;任星垣;張東云;白亨球
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;金光軍

本公開提供一種聲波諧振器及制造聲波諧振器的方法。所述聲波諧振器包括：基板；諧振部，形成在所述基板的第一表面上；金屬焊盤，通過形成在所述基板中的通路孔連接到所述諧振部；及保護層，設置在所述基板的第二表面上并且包括多個層，其中，所述多個層包括內保護層，所述內保護層直接接觸所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多個層中的其他層的粘附力強的粘附力的絕緣材料形成。

本申請要求于2017年1月5日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0001964號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術領域

以下描述涉及一種聲波諧振器及制造聲波諧振器的方法。

背景技術

帶通濾波器是從各種頻帶中僅選擇必要頻帶的信號以發送和接收所選擇的信號的通信裝置的關鍵組件。

這樣的帶通濾波器的代表性示例包括表面聲波(SAW)濾波器和體聲波(BAW)濾波器。

BAW濾波器是實現為濾波器并且使用沉積在硅晶圓(半導體基板)上的壓電介電材料的壓電特性來誘發諧振的薄膜型元件。

BAW濾波器用在移動通信裝置、小型和質輕的濾波器中，諸如用在化學和生物裝置、振蕩器、諧振元件和聲波諧振質量傳感器中。

發明內容

提供本發明內容以按照簡化的形式對所選擇的構思進行介紹，并在以下具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容既不意在限定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用作幫助確定所要求保護的主題的范圍的目的。

在一個總體方面中，一種聲波諧振器包括：基板；諧振部，形成在所述基板的第一表面上；金屬焊盤，通過形成在所述基板中的通路孔連接到所述諧振部；及保護層，設置在所述基板的第二表面上并且包括多個層，其中，所述多個層包括內保護層，所述內保護層直接接觸所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多個層中的其他層的粘附力強的粘附力的絕緣材料形成。

所述內保護層可由包括二氧化硅、氧化鋁和硅氮化物中的任意一種或者任意兩種或更多種的任意組合的材料形成。

所述多個層還可包括外保護層，所述外保護層設置在所述內保護層的外表面上并且向外地暴露。所述外保護層可由具有比所述內保護層的彈性性能強的彈性性能的絕緣材料形成。

所述外保護層可由聚合物材料形成。

保護層的部分可形成在所述通路孔中，以與所述保護層的形成在所述基板的所述第二表面上的部分連續。

所述金屬焊盤可設置在所述基板的所述第二表面上，并且與所述通路孔相鄰。

所述金屬焊盤可包括：內焊盤，連接到所述諧振部并且具有結合到所述基板的所述第二表面的內表面；及外焊盤，所述外焊盤包括：內表面，結合到所述內焊盤的外表面；及向外地暴露的外表面，具有被所述外保護層部分地覆蓋的邊緣部。

在另一總體方面中，一種制造聲波諧振器的方法，所述方法包括：在基板的第一表面上形成諧振部；形成穿透所述基板的通路孔；在所述基板的第二表面上形成連接到所述諧振部的內焊盤；在所述基板的所述第二表面上形成內保護層；形成結合到所述內焊盤的外焊盤；及在所述內保護層的外表面上形成外保護層，其中，所述內保護層由具有比所述外保護層的粘附力強的粘附力的第一絕緣材料形成，并且其中，所述外保護層由具有比所述內保護層的彈性性能強的彈性性能的第二絕緣材料形成。

所述內保護層還可形成在所述通路孔中以與所述基板的所述第二表面連續。所述外保護層還可形成在所述內保護層的形成在所述通路孔中的部分的外表面上。

所述方法還可包括形成所述外保護層以部分地覆蓋所述外焊盤的向外地暴露的表面。