[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201711370713.7
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN107966865A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 曹武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F9/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術

在液晶顯示面板上制備黑矩陣時，一般在形成所述黑矩陣的基板上先設置對位標記，再在所述基板上形成黑矩陣材料層，最后圖案化所述黑矩陣材料層以得到所述黑矩陣。圖案化所述黑矩陣材料層時，用于圖案化所述黑矩陣材料層的光罩需要與所述對位標記進行對位。但是，當所述黑矩陣材料層的厚度較厚時，所述黑矩陣材料層會遮擋所述對位標記，從而影響對位器對所述對位標記的識別，進而影響所述黑矩陣的位置精度，影響所述液晶顯示面板的品質。

發明內容

本發明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板，避免所述黑矩陣材料層對所述對位器對所述對位標記的遮擋，從而提高所述黑矩陣的位置精度，提高所述液晶顯示面板的品質。

所述陣列基板的制作方法包括步驟：

在襯底基板上形成對位標記；

對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行表面疏水處理，使得所述對位標記背向所述襯底基板的表面疏水；

在所述襯底基板上沉積黑矩陣材料層，使得所述黑矩陣材料層覆蓋所述襯底基板，且所述黑矩陣材料層對應于所述對位標記的位置的厚度小于所述黑矩陣材料層其它位置的厚度；或者，所述黑矩陣材料層覆蓋所述襯底基板除對應于所述對位標記的位置外的其它位置；

圖案化所述黑矩陣材料層形成黑矩陣。

其中，步驟“對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行表面疏水處理”包括：在所述對位標記背向所述襯底基板的一面覆蓋疏水薄膜層，所述疏水薄膜層的表面能低于所述對位標記的表面能。

其中，所述疏水薄膜層為含氟高分子薄膜層、含硅高分子薄膜層或功能分子層。

其中，所述疏水薄膜層通過氣相沉積、電化學沉積、噴墨打印、噴涂、刮刀涂布或者浸漬涂布中任意一種方式形成于所述對位標記上。

其中，步驟“對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行處理”包括：對所述對位標記的背向所述襯底基板的一面進行處理，在所述對位標記的背向所述襯底基板的一面形成疏水的微納結構。

其中，所述陣列基板制作方法還包括步驟：在襯底基板上形成薄膜晶體管及走線，所述走線與所述對位標記通過同一制程形成。

其中，所述陣列基板制作方法還包括步驟：在所述黑矩陣上形成圖案化的彩色光阻層及像素電極。

所述陣列基板包括襯底基板，設于所述襯底基板上的對位標記及層疊于所述襯底基板上的黑矩陣，所述黑矩陣覆蓋所述對位標記，所述對位標記上覆蓋的黑矩陣的厚度小于所述黑矩陣其他位置的厚度；或者，所述黑矩陣與所述對位標記不重合。

其中，所述對位標記背離所述襯底基板的一面上覆蓋有疏水薄膜層或者所述對位標記背離所述襯底基板的一面形成有疏水的微納結構。

所述顯示面板包括所述陣列基板。

本發明提供的所述陣列基板的制作方法，通過對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行表面疏水處理，使得所述對位標記表面疏水，進而使得所述黑矩陣材料沉積于所述襯底基板上時，由于所述對位標記表面的疏水性能，從而使得所述黑矩陣材料不會沉積于所述對位標記上，或者沉積于所述對位標記上的所述黑矩陣材料層的厚度較其它位置的黑矩陣材料層的厚度較薄，進而避免所述黑矩陣材料層會遮擋所述對位標記，保證對位器對所述對位標記的清楚識別，進而保證所述黑矩陣的位置精度，提高所述液晶顯示面板的品質。

附圖說明

為更清楚地闡述本發明的構造特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對其進行詳細說明。

圖1是本發明實施例的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖2-圖5是圖1所述實施例的陣列基板的制作方法各步驟的陣列基板的截面示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，不能理解為對本專利的限制。

請參閱圖1，本發明提供一種陣列基板的制作方法。本實施例中，通過所述陣列基板的制作方法制作得到陣列基板100。其中，所述陣列基板100的制作方法包括：

步驟110、請參閱圖2，在襯底基板10上形成對位標記20。