[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201711370713.7
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN107966865A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 曹武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F9/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底基板上形成對位標記；

對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行表面疏水處理，使得所述對位標記背向所述襯底基板的表面疏水；

在所述襯底基板上沉積黑矩陣材料層，使得所述黑矩陣材料層覆蓋所述襯底基板，且所述黑矩陣材料層對應于所述對位標記的位置的厚度小于所述黑矩陣材料層其它位置的厚度；或者，所述黑矩陣材料層覆蓋所述襯底基板除對應于所述對位標記的位置外的其它位置；

圖案化所述黑矩陣材料層形成黑矩陣。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，步驟“對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行表面疏水處理”包括：在所述對位標記背向所述襯底基板的一面覆蓋疏水薄膜層，所述疏水薄膜層的表面能低于所述對位標記的表面能。

3.如權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述疏水薄膜層為含氟高分子薄膜層、含硅高分子薄膜層或功能分子層。

4.如權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述疏水薄膜層通過氣相沉積、電化學沉積、噴墨打印、噴涂、刮刀涂布或者浸漬涂布中任意一種方式形成于所述對位標記上。

5.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，步驟“對所述對位標記背向所述襯底基板的一面進行處理”包括：對所述對位標記的背向所述襯底基板的一面進行處理，在所述對位標記的背向所述襯底基板的一面形成疏水的微納結構。

6.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板制作方法還包括步驟：在襯底基板上形成薄膜晶體管及走線，所述走線與所述對位標記通過同一制程形成。

7.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板制作方法還包括步驟：在所述黑矩陣上形成圖案化的彩色光阻層及像素電極。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，設于所述襯底基板上的對位標記及層疊于所述襯底基板上的黑矩陣，所述黑矩陣覆蓋所述對位標記，所述對位標記上覆蓋的黑矩陣的厚度小于所述黑矩陣其他位置的厚度；或者，所述黑矩陣與所述對位標記不重合。

9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述對位標記背離所述襯底基板的一面上覆蓋有疏水薄膜層或者所述對位標記背離所述襯底基板的一面形成有疏水的微納結構。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求8-9任意一項所述的陣列基板。