[發(fā)明專利]封裝體的反應(yīng)層去除裝置及去除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711368627.2
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN109935533B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳莉
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤安盛科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

本發(fā)明提供一種封裝體的反應(yīng)層去除裝置及去除方法，該裝置包括：轉(zhuǎn)動(dòng)件，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件具有腔體和轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件可繞所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)；所述腔體內(nèi)設(shè)置有多個(gè)第二金屬微粒，且用于容納多個(gè)返工封裝體，所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應(yīng)層；所述腔體內(nèi)容納有導(dǎo)電溶液，所述第二金屬微粒在所述腔體的導(dǎo)電溶液中與所述第一金屬反應(yīng)層發(fā)生置換反應(yīng)，以去除所述第一金屬反應(yīng)層。該裝置可有效去除各封裝體的引腳表面的第一金屬反應(yīng)層，對較多數(shù)量的封裝體進(jìn)行批量處理。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝體的反應(yīng)層去除裝置及去除方法。

背景技術(shù)

目前，QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平無引腳封裝)封裝體中，有一種使用銀凸點(diǎn)替代傳統(tǒng)銅框架的封裝形式，但是銀凸點(diǎn)容易發(fā)生硫化，因此降低了封裝產(chǎn)品的良率，影響產(chǎn)品性能。

目前去除銀凸點(diǎn)硫化層的方法不適用于封裝產(chǎn)品的批量處理，因此，需要一種有效去除封裝產(chǎn)品硫化層的方法，且適用于對封裝產(chǎn)品進(jìn)行批量處理。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種封裝體的反應(yīng)層去除裝置及去除方法，以解決相關(guān)技術(shù)中的不足。

根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種封裝體的反應(yīng)層去除裝置，包括：

轉(zhuǎn)動(dòng)件，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件具有腔體和轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件可繞所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)；

所述腔體內(nèi)設(shè)置有多個(gè)第二金屬微粒，且用于容納多個(gè)返工封裝體，所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應(yīng)層；

所述腔體內(nèi)容納有導(dǎo)電溶液，所述第二金屬微粒在所述腔體的導(dǎo)電溶液中與所述第一金屬反應(yīng)層發(fā)生置換反應(yīng)，以去除所述第一金屬反應(yīng)層。

可選的，還包括：

容器，所述容器中設(shè)置有所述導(dǎo)電溶液；

所述轉(zhuǎn)動(dòng)件上還設(shè)置從轉(zhuǎn)動(dòng)件表面貫穿至所述腔體內(nèi)的多個(gè)孔，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件的至少部分位于所述導(dǎo)電溶液中，在所述轉(zhuǎn)動(dòng)件轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述導(dǎo)電溶液經(jīng)過所述孔可流入所述轉(zhuǎn)動(dòng)件的腔體內(nèi)。

可選的，還包括動(dòng)力源，所述動(dòng)力源與所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接，所述動(dòng)力源用于控制所述轉(zhuǎn)動(dòng)件繞所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)。

可選的，所述轉(zhuǎn)動(dòng)件和所述腔體的形狀均為圓柱形。

可選的，各所述孔均勻分布于所述轉(zhuǎn)動(dòng)件上。

可選的，所述第二金屬微粒的直徑為0.5mm至1.5mm。

可選的，所述第一金屬反應(yīng)層為硫化銀層，所述第二金屬微粒為鋁材料微粒。

可選的，所述導(dǎo)電溶液為堿性溶液。

可選的，所述導(dǎo)電溶液為碳酸鈉與所述氯化鈉的混合溶液。

可選的，所述碳酸鈉與所述氯化鈉的質(zhì)量比為400:1-100:1。

可選的，所述導(dǎo)電溶液的溶劑為去離子水。

根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種封裝體的反應(yīng)層去除方法，包括：

將多個(gè)返工封裝體和第二金屬微粒放置于一轉(zhuǎn)動(dòng)件的腔體中，所述待返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應(yīng)層；

所述第二金屬微粒在所述腔體的導(dǎo)電溶液中與所述第一金屬反應(yīng)層發(fā)生置換反應(yīng)，以去除所述第一金屬反應(yīng)層。