[發明專利]封裝體的反應層去除裝置及去除方法

有效

• 申請號: 201711368627.2
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN109935533B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 陳莉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤安盛科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

本發明提供一種封裝體的反應層去除裝置及去除方法，該裝置包括：轉動件，所述轉動件具有腔體和轉動軸，所述轉動件可繞所述轉動軸轉動；所述腔體內設置有多個第二金屬微粒，且用于容納多個返工封裝體，所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應層；所述腔體內容納有導電溶液，所述第二金屬微粒在所述腔體的導電溶液中與所述第一金屬反應層發生置換反應，以去除所述第一金屬反應層。該裝置可有效去除各封裝體的引腳表面的第一金屬反應層，對較多數量的封裝體進行批量處理。

技術領域

本發明涉及封裝技術領域，尤其涉及一種封裝體的反應層去除裝置及去除方法。

背景技術

目前，QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平無引腳封裝)封裝體中，有一種使用銀凸點替代傳統銅框架的封裝形式，但是銀凸點容易發生硫化，因此降低了封裝產品的良率，影響產品性能。

目前去除銀凸點硫化層的方法不適用于封裝產品的批量處理，因此，需要一種有效去除封裝產品硫化層的方法，且適用于對封裝產品進行批量處理。

發明內容

本發明提供一種封裝體的反應層去除裝置及去除方法，以解決相關技術中的不足。

根據本發明的第一個方面，提供一種封裝體的反應層去除裝置，包括：

轉動件，所述轉動件具有腔體和轉動軸，所述轉動件可繞所述轉動軸轉動；

所述腔體內設置有多個第二金屬微粒，且用于容納多個返工封裝體，所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應層；

所述腔體內容納有導電溶液，所述第二金屬微粒在所述腔體的導電溶液中與所述第一金屬反應層發生置換反應，以去除所述第一金屬反應層。

可選的，還包括：

容器，所述容器中設置有所述導電溶液；

所述轉動件上還設置從轉動件表面貫穿至所述腔體內的多個孔，所述轉動件的至少部分位于所述導電溶液中，在所述轉動件轉動時，所述導電溶液經過所述孔可流入所述轉動件的腔體內。

可選的，還包括動力源，所述動力源與所述轉動軸連接，所述動力源用于控制所述轉動件繞所述轉動軸轉動。

可選的，所述轉動件和所述腔體的形狀均為圓柱形。

可選的，各所述孔均勻分布于所述轉動件上。

可選的，所述第二金屬微粒的直徑為0.5mm至1.5mm。

可選的，所述第一金屬反應層為硫化銀層，所述第二金屬微粒為鋁材料微粒。

可選的，所述導電溶液為堿性溶液。

可選的，所述導電溶液為碳酸鈉與所述氯化鈉的混合溶液。

可選的，所述碳酸鈉與所述氯化鈉的質量比為400:1-100:1。

可選的，所述導電溶液的溶劑為去離子水。

根據本發明的第二個方面，提供一種封裝體的反應層去除方法，包括：

將多個返工封裝體和第二金屬微粒放置于一轉動件的腔體中，所述待返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應層；

所述第二金屬微粒在所述腔體的導電溶液中與所述第一金屬反應層發生置換反應，以去除所述第一金屬反應層。