[發明專利]封裝體的反應層去除裝置及去除方法有效
| 申請號: | 201711368627.2 | 申請日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109935533B | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 陳莉 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 214028 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 反應 去除 裝置 方法 | ||
1.一種封裝體的反應層去除裝置,其特征在于,包括:
轉動件,所述轉動件具有腔體和轉動軸,所述轉動件可繞所述轉動軸轉動;
所述腔體內設置有多個第二金屬微粒,且用于容納多個返工封裝體,所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應層;
所述腔體內容納有導電溶液,所述第二金屬微粒在所述腔體的導電溶液中與所述第一金屬反應層發生置換反應,以去除所述第一金屬反應層;
容器,所述容器中設置有所述導電溶液;
所述轉動件上還設置從轉動件表面貫穿至所述腔體內的多個孔,所述轉動件的至少部分位于所述導電溶液中,在所述轉動件轉動時,所述導電溶液經過所述孔可流入所述轉動件的腔體內。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括動力源,所述動力源與所述轉動軸連接,所述動力源用于控制所述轉動件繞所述轉動軸轉動。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述轉動件和所述腔體的形狀均為圓柱形。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,各所述孔均勻分布于所述轉動件上。
5.根據權利要求1-4任一項所述的裝置,其特征在于,所述第二金屬微粒的直徑為0.5mm至1.5mm。
6.根據權利要求1-4任一項所述的裝置,其特征在于,所述第一金屬反應層為硫化銀層,所述第二金屬微粒為鋁材料微粒。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述導電溶液為堿性溶液。
8.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述導電溶液為碳酸鈉與所述氯化鈉的混合溶液。
9.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述碳酸鈉與氯化鈉的質量比為400:1-100:1。
10.根據權利要求1-4任一項所述的裝置,其特征在于,所述導電溶液的溶劑為去離子水。
11.一種封裝體的反應層去除方法,其特征在于,所述反應層去除方法采用權利要求1-10任一項所述的裝置,包括:
將多個返工封裝體和第二金屬微粒放置于一轉動件的腔體中,所述返工封裝體的引腳表面具有第一金屬反應層;
所述第二金屬微粒在所述腔體的導電溶液中與所述第一金屬反應層發生置換反應,以去除所述第一金屬反應層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





