[發明專利]像素結構、半導體結構的制造方法及半導體元件的制造方法

在審

• 申請號: 201711364453.2
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108054102A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 黃震鑠;范揚順
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

形成一氧化物半導體材料層，該氧化物半導體材料層包括：

一主體部；以及

一輔助部，與該主體部連接；

形成一第一絕緣材料層于該氧化物半導體材料層上；以及

去除部分該第一絕緣材料層及該輔助部，以形成一第一絕緣層及一有源層，其中被去除的部分該第一絕緣材料層至少與該輔助部重疊。

2.如權利要求1所述的制造方法，其中該第一絕緣層的氫濃度低于該第一絕緣材料層的氫濃度。

3.如權利要求1所述的制造方法，其中該氧化物半導體材料層包含選自于由氧化銦鋅、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鋅錫及氧化銦錫所組成的群組中的至少一者。

4.一種半導體元件的制造方法，包括：

形成一氧化物半導體材料層，該氧化物半導體材料層包括：

一主體部；以及

一輔助部，與該主體部連接；

形成一柵極與該主體部重疊；

形成一第一絕緣材料層于該氧化物半導體材料層上；

去除部分該第一絕緣材料層及該輔助部，以形成一第一絕緣層及一有源層，其中被去除的部分該第一絕緣材料層至少與該輔助部重疊；以及

形成一源極及一漏極于該第一絕緣層上，并分別電性連接該有源層的一源極區及一漏極區。

5.如權利要求4所述的制造方法，其中該第一絕緣層的氫濃度低于該第一絕緣材料層的氫濃度。

6.如權利要求4所述的制造方法，還包括：

形成一第二絕緣層于該第一絕緣層上，其中該源極及該漏極形成于該第二絕緣層上。

7.如權利要求6所述的制造方法，其中該第二絕緣層的氫濃度低于該第一絕緣層的氫濃度。

8.如權利要求4所述的制造方法，其中該氧化物半導體材料層包含選自于由氧化銦鋅、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鋅錫及氧化銦錫所組成的群組中的至少一者。

9.如權利要求4所述的制造方法，其中形成該氧化物半導體材料層的步驟先于形成該柵極的步驟，該方法還包括形成一柵極絕緣層于該柵極以及該氧化物半導體材料層之間。

10.如權利要求4所述的制造方法，形成該柵極的步驟先于形成該氧化物半導體材料層的步驟，該方法還包括形成一柵極絕緣層于該柵極以及該氧化物半導體材料層之間。

11.如權利要求10所述的制造方法，還包括：

于形成該第一絕緣材料層的步驟前，形成一保護層于該主體部上并接觸該主體部，以與該有源層的一溝道區重疊。

12.如權利要求11所述的制造方法，其中該保護層的氫濃度低于該第一絕緣層的氫濃度。

13.如權利要求4所述的制造方法，其中該柵極與該源極電性連接。

14.一種像素結構，包括：

一有源層，包括一源極區、一溝道區及一漏極區；

一第一絕緣層，設置于該有源層上并與該有源層接觸，該第一絕緣層的邊緣與該有源層的邊緣相距一水平距離為0微米至5微米；

一柵極絕緣層；

一柵極，其中該柵極絕緣層位于該柵極以及該有源層之間；

一源極及一漏極，設置于該第一絕緣層上，并分別電性連接該源極區及該漏極區；以及

一像素電極，與該漏極電性連接。

15.如權利要求14所述的像素結構，還包括：

一第二絕緣層，設置于該第一絕緣層上，其中該源極及該漏極設置于該第二絕緣層上。