[發明專利]用于半導體處理腔體的遮蔽裝置及其使用方法有效
| 申請號: | 201711363054.4 | 申請日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN108103473B | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發明(設計)人: | 柴智 | 申請(專利權)人: | 沈陽拓荊科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C14/04 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陳福昌 |
| 地址: | 110179 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 處理 遮蔽 裝置 及其 使用方法 | ||
1.一種用于半導體處理腔體的遮蔽裝置,所述處理腔體具有一側壁及一承載盤,其特征在于:該遮蔽裝置包含:
一遮蔽環,具有一頂面及一底面,該遮蔽環的底面具有復數個凸塊,用于防止所述承載盤與該遮蔽環接觸;及
一支撐組件,具有一頂面及一底面,該支撐組件可拆卸連接至該遮蔽環,該支撐組件的底面經配置而與所述處理腔體中的一或多個凸出部接觸,使該遮蔽環支撐于所述凸出部之上方的一位置,且連接于該支撐組件的該遮蔽環可在該位置及所述處理腔體的一頂部之間移動,且該遮蔽環與該承載盤間的一間隙至少由該支撐組件的一高度決定。
2.按照權利要求1所述的遮蔽裝置,其特征在于:該遮蔽環的內緣厚度小于該遮蔽環的外緣厚度。
3.按照權利要求1所述的遮蔽裝置,其特征在于:該等復數凸塊為球形凸塊或錐形凸塊。
4.按照權利要求1所述的遮蔽裝置,其特征在于:該支撐組件為一環體,該環體具有一高度。
5.按照權利要求1所述的遮蔽裝置,其特征在于:該支撐組件的頂面連接至該遮蔽環的底面。
6.按照權利要求1所述的遮蔽裝置,其特征在于:該遮蔽環的一外側具有復數個耳部,該等復數個耳部與該支撐組件連接。
7.按照權利要求6所述的遮蔽裝置,其特征在于:該支撐組件包含復數個支撐塊,每一支撐塊具有一結合孔用以接收所述耳部,使得該等復數個支撐塊分別連接至該遮蔽環的每一耳部。
8.一種用于半導體處理腔體的遮蔽裝置的使用方法,其中,所述處理腔體具有一側壁、及可升降且載有晶圓的一承載盤,其特征在于:該方法包含:
提供一或多個凸出部,所述凸出部自該側壁延伸;
提供一遮蔽裝置,包含:
一遮蔽環,具有一頂面及一底面,該遮蔽環的底面具有復數個凸塊;及
一支撐組件,具有一頂面及一底面,該支撐組件可拆卸連接至該遮蔽環,且該支撐組件的底面經配置而與所述處理腔體中的一或多個凸出部接觸,使該遮蔽環支撐于所述凸出部之上方的一位置,連接于該支撐組件的該遮蔽環可在該位置及所述處理腔體的一頂部之間移動;以及
升高該承載盤,直到該承載盤與該遮蔽環的底面之間形成一間隙,使該遮蔽環的內緣位于所述晶圓的一外圍的上方,該遮蔽環與該承載盤間的該間隙至少由該支撐組件的一高度決定。
9.按照權利要求8所述的方法,其特征在于:所述處理腔體的側壁包含一抽氣環,該抽氣環具有一內壁,所述凸出部自該抽氣環的內壁延伸。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





