[發(fā)明專(zhuān)利]一種Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711360283.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108111128A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪倫源;費(fèi)文軍;陳興盛;李金晶;蔡慶剛;徐日紅;周二風(fēng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 安徽華東光電技術(shù)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03F1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H03F1/00;H03F3/195;H03F3/213;H05K3/34 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣榮 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 燒結(jié) 腔體 功率放大器 微波電路板 制作工藝 測(cè)試 功率放大器模塊 微波功率放大器 放大器 技術(shù)性能指標(biāo) 加工工藝技術(shù) 產(chǎn)品合格率 腔體濾波器 電容組件 工藝生產(chǎn) 激光打標(biāo) 模塊調(diào)試 模塊要求 生產(chǎn)效率 蓋板 工藝流程 電阻 封裝 生產(chǎn)成本 調(diào)試 篩選 節(jié)約 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明適用于微波功率放大器加工工藝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝，包括如下步驟：方法包括如下步驟：S1、將RT/duroid6035HTC微波電路板燒結(jié)到腔體上；S2、將電阻及電容組件燒結(jié)到所述RT/duroid6035HTC微波電路板上；S3、將放大器燒結(jié)到腔體上；S4、將腔體濾波器燒結(jié)到腔體上；S5、對(duì)燒結(jié)完成的組件進(jìn)行調(diào)試、測(cè)試；S6、測(cè)試合格，進(jìn)行蓋板封裝、激光打標(biāo)。工藝流程操作性強(qiáng)，經(jīng)過(guò)此工藝生產(chǎn)的Ku波段60瓦小型化功率放大器模塊經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試、篩選實(shí)驗(yàn)以及模塊調(diào)試，各項(xiàng)技術(shù)性能指標(biāo)完全達(dá)到模塊要求，生產(chǎn)的產(chǎn)品合格率高，提高了生產(chǎn)效率和節(jié)約了生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝。
背景技術(shù)
Ku波段60瓦小型化功率放大器模塊廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，尤其應(yīng)用于衛(wèi)星通信系統(tǒng)上行信號(hào)的放大中。Ku波段60瓦功率放大器模塊可增強(qiáng)有衛(wèi)星通信系統(tǒng)的發(fā)射功率和發(fā)射功率，提高衛(wèi)星的通信有效傳播距離，擴(kuò)大衛(wèi)星通信系統(tǒng)的覆蓋范圍，提高衛(wèi)星通信系統(tǒng)通信質(zhì)量。測(cè)量設(shè)備用Ku波段60瓦小型化功率放大器模塊來(lái)增大發(fā)射功率；在有源相控陣?yán)走_(dá)中，Ku波段60瓦小型化功率放大器模塊是TR組件的重要組成單元。
目前急需一種操作簡(jiǎn)單、合格率高的Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝，旨在提供一種流程操作性強(qiáng)，產(chǎn)品合格率高的Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工藝，所述制作工藝包括如下步驟：
S1、將RT/duroid6035HTC微波電路板燒結(jié)到腔體上；
S2、將電阻及電容組件燒結(jié)到所述RT/duroid6035HTC微波電路板上；
S3、將放大器燒結(jié)到腔體上；
S4、將腔體濾波器燒結(jié)到腔體上；
S5、對(duì)燒結(jié)完成的組件進(jìn)行調(diào)試、測(cè)試；
S6、測(cè)試合格，進(jìn)行蓋板封裝、激光打標(biāo)。
進(jìn)一步的，所述步驟S1之前包括：
S7、將腔體、蓋板、RT/duroid6035HTC微波電路板進(jìn)行氣相清洗，所述氣相清洗包括如下步驟：
S71、使用氣相清洗機(jī)將腔體，蓋板，RT/duroid6035HTC微波電路板放置在氣相清洗機(jī)的清洗槽中熱煮泡(4～6)分鐘；
S72、熱煮泡完成后，取出腔體、蓋板、及RT/duroid6035HTC微波電路板，放入盛有50℃丙酮的培養(yǎng)皿中進(jìn)行刷洗；
S73、再將刷洗后的腔體、蓋板、RT/duroid6035HTC微波電路板放置在60℃的烘箱內(nèi)烘烤(4～6)分鐘，之后自然冷卻至20℃～25℃后待用。
進(jìn)一步的，所述步驟S1具體包括如下步驟：
步驟S1具體包括如下步驟：
S11、將RT/duroid6035HTC微波電路板安放在腔體的對(duì)應(yīng)位置上；
S12、在RT/duroid6035HTC微波電路板上加銅壓塊；
S13、將放置好微波電路的腔體放在255℃～265℃的加熱平臺(tái)上進(jìn)行燒接；
S14、將燒結(jié)好微波電路的腔體從加熱平臺(tái)上取下，放在濾紙上進(jìn)行冷卻，冷卻至室溫后取下銅壓塊；
S15、用浸有純丙酮的丙酮棉清洗對(duì)燒結(jié)部位進(jìn)行清洗。
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H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
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