[發(fā)明專利]白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711354834.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109935720A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹蔚然;梁柱榮;楊一行;向超宇;錢磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點(diǎn) 薄膜 制備 配體 發(fā)光疊層 置換 第一層 預(yù)制 陰極 發(fā)光二極管 量子點(diǎn)表面 陽(yáng)極 底電極 光量子 有機(jī)發(fā)光薄膜 密閉裝置 發(fā)白光 可連接 正整數(shù) 相配 復(fù)合 | ||
本發(fā)明涉及一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法,包括:提供底電極;在底電極上制備量子點(diǎn)預(yù)制薄膜,該量子點(diǎn)預(yù)制薄膜中的量子點(diǎn)表面連接有初始配體;將量子點(diǎn)預(yù)制薄膜置于可密閉裝置中,通入氣態(tài)的置換配體進(jìn)行氣相配體置換,得到量子點(diǎn)表面結(jié)合置換配體的第一層量子點(diǎn)薄膜,該置換配體可連接至少兩個(gè)量子點(diǎn);采用第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N層層疊的量子點(diǎn)薄膜,得到發(fā)光疊層;或采用第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N?1層層疊的量子點(diǎn)薄膜,在第N?1層量子點(diǎn)薄膜上制備一有機(jī)發(fā)光薄膜,得到發(fā)光疊層;其中,N為正整數(shù),2≤N≤10;且發(fā)光疊層復(fù)合發(fā)白光;其中,底電極為陽(yáng)極,頂電極為陰極;或底電極為陰極,頂電極為陽(yáng)極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。
背景技術(shù)
量子點(diǎn)(Quantum dot)是一種準(zhǔn)零維納米材料,類似超晶格和量子阱,其顆粒大小約為1~100nm,具有量子限域效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和量子隧道效應(yīng)等性能,同時(shí)具有單色性好、色純度高、發(fā)光光譜窄等突出優(yōu)點(diǎn),是一種非常有前景的納米材料。基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管被稱為量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum dots light-emitting diode,QLED),是一種新型的顯示技器件。量子點(diǎn)顯示的優(yōu)勢(shì)在于色域覆蓋廣、色彩容易控制以及色純度高等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是顯示技術(shù)的新星,同時(shí)也被認(rèn)為是顯示技術(shù)的革命性代表。
目前,主流的量子點(diǎn)白光器件主要是通過(guò)將紅綠藍(lán)三色(或更多發(fā)光顏色)量子點(diǎn)混合,制備混合量子點(diǎn)發(fā)光層,從而實(shí)現(xiàn)白光器件。但不同量子點(diǎn)混合之后,量子點(diǎn)之間較容易發(fā)生能量傳遞,因此基于將不同顏色量子點(diǎn)混合的方法制備的白光器件容易出現(xiàn)發(fā)光顏色隨電壓的改變而發(fā)生變化的情況。同時(shí),基于目前的溶液制備方法,在量子點(diǎn)層上面制備第二層量子點(diǎn)層時(shí),第二層使用溶劑會(huì)很大程度破壞第一層的量子點(diǎn)薄膜,從而不易實(shí)現(xiàn)多層量子點(diǎn)逐層堆疊的器件結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法,旨在解決現(xiàn)有白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備過(guò)程中,多層量子點(diǎn)薄膜之間不能逐層堆疊形成發(fā)光疊層的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種含有上述白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管的顯示屏。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明一方面提供一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法,包括如下步驟:
提供底電極;
在所述底電極上制備量子點(diǎn)預(yù)制薄膜,所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜中的量子點(diǎn)表面連接有初始配體;將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜置于可密閉裝置中,通入氣態(tài)的置換配體,進(jìn)行氣相配體置換,得到量子點(diǎn)表面結(jié)合所述置換配體的第一層量子點(diǎn)薄膜,所述置換配體可連接至少兩個(gè)量子點(diǎn);
采用所述第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N層層疊的量子點(diǎn)薄膜,得到發(fā)光疊層;或
采用所述第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N-1層層疊的量子點(diǎn)薄膜,在第N-1層量子點(diǎn)薄膜上制備一有機(jī)發(fā)光薄膜,得到發(fā)光疊層;
其中,N為正整數(shù),2≤N≤10;且所述發(fā)光疊層復(fù)合發(fā)白光;
在所述發(fā)光疊層上制備頂電極;
其中,所述底電極為陽(yáng)極,所述頂電極為陰極;或所述底電極為陰極,所述頂電極為陽(yáng)極。
相應(yīng)地,一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管,其特征在于,所述白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管由上述制備方法制得。
另外,一種顯示屏,包括上述白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





