[發(fā)明專利]白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711354834.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109935720A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹蔚然;梁柱榮;楊一行;向超宇;錢磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點(diǎn) 薄膜 制備 配體 發(fā)光疊層 置換 第一層 預(yù)制 陰極 發(fā)光二極管 量子點(diǎn)表面 陽(yáng)極 底電極 光量子 有機(jī)發(fā)光薄膜 密閉裝置 發(fā)白光 可連接 正整數(shù) 相配 復(fù)合 | ||
1.一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供底電極;
在所述底電極上制備量子點(diǎn)預(yù)制薄膜,所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜中的量子點(diǎn)表面連接有初始配體;將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜置于可密閉裝置中,通入氣態(tài)的置換配體,進(jìn)行氣相配體置換,得到量子點(diǎn)表面結(jié)合所述置換配體的第一層量子點(diǎn)薄膜,所述置換配體可連接至少兩個(gè)量子點(diǎn);
采用所述第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N層層疊的量子點(diǎn)薄膜,得到發(fā)光疊層;或
采用所述第一層量子點(diǎn)薄膜的制備方法制得N-1層層疊的量子點(diǎn)薄膜,在第N-1層量子點(diǎn)薄膜上制備一有機(jī)發(fā)光薄膜,得到發(fā)光疊層;
其中,N為正整數(shù),2≤N≤10;且所述發(fā)光疊層復(fù)合發(fā)白光;
在所述發(fā)光疊層上制備頂電極;
其中,所述底電極為陽(yáng)極,所述頂電極為陰極;或所述底電極為陰極,所述頂電極為陽(yáng)極。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述置換配體的結(jié)構(gòu)通式為X1-R-X2,其中X1和X2為與量子點(diǎn)表面相連接的官能團(tuán),R為烴基或烴基衍生物。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述置換配體中的X1為鹵素原子、-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的至少一種;和/或
所述置換配體中的X2為鹵素原子、-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述置換配體包括1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巰基乙胺、巰基丙胺、巰基乙酸、3-巰基丙酸、3-巰基丁酸、6-巰基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巰基苯甲酸、巰基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巰基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巰基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、對(duì)苯二甲酸、對(duì)苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一種。
5.如權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)薄膜的制備方法,其特征在于,所述通入氣態(tài)的置換配體的步驟包括:將液態(tài)的置換配體經(jīng)蒸發(fā)或沸騰處理后得到氣態(tài)的置換配體,再通入所述的可密閉裝置中;或
將固態(tài)置換配體經(jīng)升華處理或依次經(jīng)液化、蒸發(fā)處理后得到氣態(tài)的置換配體,再通入所述的可密閉裝置中。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述N層層疊的量子點(diǎn)薄膜中,2≤N≤5;和/或
每層所述量子點(diǎn)薄膜的厚度為2-80nm。
7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述可密閉裝置內(nèi)的總壓為10-5~103Pa,所述置換配體的分壓為10-4~102Pa。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述氣相配體置換的溫度為5-200℃;和/或
所述氣相配體置換的時(shí)間為0.5-360min。
9.一種白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管,其特征在于,所述白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管由權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
10.一種顯示屏,其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述方法制備的白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管或權(quán)利要求9所述的白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





