[發明專利]芯片鍵合互連結構及其制法

有效

• 申請號: 201711354226.1
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108231792B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 盧克·英格蘭;拉華爾·阿格瓦
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/82
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

本發明揭示芯片鍵合互連結構，其涉及半導體結構，且尤其涉及芯片鍵合互連結構及其制法。該結構包括：各自包含一接觸板的多個子像素；以及在該接觸板的一背面上位于各子像素的相對角落的冗余連接。

技術領域

本揭示內容涉及半導體結構，且尤其涉及芯片鍵合互連結構及制法。

背景技術

無機發光二極管(ILED)為由半導體材料制成的發光二極管。有可能使用ILED產生各種不同色彩，包括紅、綠、黃及藍色。操作時，ILED在施加順向偏壓至半導體材料的P-N接面時發光。

4k ILED顯示系統由堆棧在控制管芯上的LED管芯構成。該4K ILED顯示器在管芯之間需要間距在5微米以下的64密耳互連。在4k顯示像素數組中，每個子像素都需要個別互連。不過，在這些尺寸很難得到高互連良率。

發明內容

在本揭示內容之一方面，一種結構，包含：各自包含一接觸板的多個子像素；以及在該接觸板之一背面上位于各子像素之相對角落的冗余連接。

在本揭示內容之一方面，一種像素結構，包含：各自包含一接觸板的多個子像素；以及在該接觸板之一背面上位于兩個相對角落且與在各子像素之該兩個相對角落之間延伸的一對角線“d”相交的鍵合墊結構。

在本揭示內容之一方面，一種方法，包含：在多個子像素之一接觸板之一背面上的兩個相對角落形成鍵合墊結構，該鍵合墊結構與在各子像素之該兩個相對角落之間延伸的一對角線“d”相交。

附圖說明

以下說明詳述本揭示內容，其中參考多個附圖以不具限定性的方式舉例說明本揭示內容的示范具體實施例。

圖1根據本揭示內容之數個方面圖示一像素設計。

圖2A根據本揭示內容之數個方面圖標圖1結構的背面及各個制程。

圖2B根據本揭示內容之數個方面圖標圖1結構的替代背面及各個制程。

圖3根據本揭示內容之數個方面圖示一最佳鍵合墊布置。

圖4根據本揭示內容之數個方面圖標在ILED驅動器芯片與CMOS驅動器芯片之間的芯片至芯片連接。

主要組件符號說明

10 像素、結構、ILED驅動器芯片

12 接觸板、電極

14a-14d 子像素

16 納米線

18 鍵合墊結構

20 子像素邊界

22 像素邊界

24 絕緣體材料、氧化物材料

30 CMOS驅動器芯片

40 鍵合接口

50 鍵合墊

A、B、C 直線

b 假想方盒

c 中心點

c1 角落

d 對角線

x 長度。

具體實施方式