[發(fā)明專利]芯片鍵合互連結(jié)構(gòu)及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711354226.1 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108231792B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧克·英格蘭;拉華爾·阿格瓦 | 申請(專利權(quán))人: | 格芯(美國)集成電路科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 互連 結(jié)構(gòu) 及其 制法 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包含:
各自包含一接觸板的多個(gè)子像素;以及
在該接觸板的一背面上位于各子像素的相對角落的冗余連接,
其中,該子像素的每一邊有“x”的長度,以及各鍵合墊結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)“c”位在邊長為x/4及對角線長為d/4的一假想方盒”b”的一角落“c1”上,以及其中,該假想方盒“b”的該角落“c1”遠(yuǎn)離該子像素的邊長。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該冗余連接為每一子像素的兩個(gè)鍵合墊結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,在整個(gè)芯片上以均勻的像素間距重復(fù)該冗余連接。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該冗余連接包括在該接觸板的該背面上位于各子像素的左下角及右上角處的一鍵合墊結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該冗余連接包括在該接觸板的該背面上位于各子像素的左上角及右下角處的一鍵合墊結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該冗余連接為設(shè)在各子像素的兩個(gè)相對角落的鍵合墊結(jié)構(gòu),該鍵合墊結(jié)構(gòu)與從該各子像素的相對角落以45度延伸的一對角線“d”相交。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,各鍵合墊結(jié)構(gòu)沿著多個(gè)子像素的單一對角線等距隔開。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,還包含在該接觸板的該背面上的氧化物材料,其中,該鍵合墊結(jié)構(gòu)的表面積約為該接觸板的該背面的總表面積的30%或更少。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該多個(gè)子像素形成一無機(jī)發(fā)光二極管(ILED)驅(qū)動器芯片的一像素,該無機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動器芯片鍵合至一CMOS驅(qū)動器芯片是透過該CMOS驅(qū)動器芯片的氧化物材料與該氧化物材料的一氧化物對氧化物鍵合。
10.一種像素結(jié)構(gòu),包含:
各自包含一接觸板的多個(gè)子像素;以及
在該接觸板的一背面上位于兩個(gè)相對角落且與在各子像素的該兩個(gè)相對角落之間延伸的一對角線“d”相交的鍵合墊結(jié)構(gòu),
其中,該子像素的每一邊有“x”的長度,以及各鍵合墊結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)“c”位在邊長為x/4及對角線長為d/4的一假想方盒”b”的一角落“c1”上,以及其中,該假想方盒“b”的該角落“c1”遠(yuǎn)離該子像素的邊長。
11.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該鍵合墊結(jié)構(gòu)中的第一者在該接觸板的該背面上位于各子像素的左下角,以及該鍵合墊結(jié)構(gòu)中的第二者位在各子像素的右上角。
12.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該鍵合墊結(jié)構(gòu)中的第一者在該接觸板的該背面上位于各子像素的左上角,以及該鍵合墊結(jié)構(gòu)中的第二者位在各子像素的右下角。
13.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu),其中,該對角線“d”從該各子像素的相對角落以45度延伸。
14.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,各鍵合墊結(jié)構(gòu)沿著多個(gè)子像素的單一對角線等距隔開。
15.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該鍵合墊結(jié)構(gòu)的表面積約為該接觸板的該背面的總表面積的30%或更少。
16.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,還包含在該接觸板的該背面上的氧化物材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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