[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711353711.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN109927435B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?zhí)?/a>;向超宇;李樂;辛征航;王雄志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): B41M5/382
• 分類號(hào): B41M5/382;B29C69/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明公開了一種量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法，包括步驟：提供初始印章，所述初始印章的印面設(shè)有若干個(gè)初始凸型圖案和若干個(gè)初始凸型圖案之間的初始凹型圖案；對(duì)所述初始印章的初始凹型圖案進(jìn)行表面處理；將經(jīng)過表面處理的所述初始印章變形處理為印面平整的形變印章；在形變印章的印面上制備量子點(diǎn)初始薄膜；將印面制備有量子點(diǎn)初始薄膜的形變印章恢復(fù)成初始印章，形成印面初始凸型圖案和初始凹型圖案上具有量子點(diǎn)圖案化薄膜的初始印章；將印面具有量子點(diǎn)圖案化薄膜的初始印章與目標(biāo)基底接觸，使所述初始凸型圖案上的量子點(diǎn)圖案化薄膜轉(zhuǎn)印于目標(biāo)基底上。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的的量子點(diǎn)薄膜轉(zhuǎn)印方法易造成部分薄膜殘留，導(dǎo)致轉(zhuǎn)印圖案有缺陷的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)印技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)具有發(fā)光顏色易于調(diào)節(jié)、色彩飽和度高、可溶液加工、高穩(wěn)定性等諸多優(yōu)點(diǎn)，被視為下一代顯示技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。在制備量子點(diǎn)薄膜時(shí)，旋涂法是最快捷簡(jiǎn)便且成膜質(zhì)量好的加工方式，但旋涂法只能用于制備單色發(fā)光器件，而在制造全彩發(fā)光器件時(shí)，必須制備出圖案化量子點(diǎn)薄膜。目前，圖案化量子點(diǎn)的方法主要有噴墨打印、轉(zhuǎn)印等方式，常規(guī)的轉(zhuǎn)印過程是利用粘彈性體印章作為轉(zhuǎn)移載體，利用動(dòng)力學(xué)控制實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印。轉(zhuǎn)印過程具體包括兩步，第一步是將量子點(diǎn)圖案從供體基底轉(zhuǎn)印到印章，第二步是將量子點(diǎn)圖案從印章轉(zhuǎn)印到目標(biāo)基底。因?yàn)橛≌聦?duì)薄膜的吸附屬于物理吸附，其粘附能的大小與印章表面有關(guān)，所以第一步轉(zhuǎn)印過程的完成需要量子點(diǎn)薄膜與印章的粘附能大于量子點(diǎn)薄膜與供體基底的粘附能，而第二步轉(zhuǎn)印過程的完成需要量子點(diǎn)薄膜與印章的粘附能小于量子點(diǎn)薄膜與目標(biāo)基底的粘附能。

目前可使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作印章實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印，因?yàn)榫鄱谆柩跬榫哂休^低表面能，可利用動(dòng)力學(xué)控制其粘著力實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印，但是由于供體基底與薄膜間粘附能較大，往往需要嚴(yán)苛的動(dòng)力學(xué)參數(shù)(高剝離速度、大負(fù)載應(yīng)力)才能完整實(shí)現(xiàn)第一步轉(zhuǎn)印；也有使用新興材料形狀記憶聚合物(SMP)作為印章，雖然利用材料本身具有形變恢復(fù)的特點(diǎn)，能避免第一步轉(zhuǎn)印過程，直接在SMP印章表面旋涂成膜，截取圖案化薄膜轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，但是SMP材料表面能較大，在轉(zhuǎn)印過程中，易造成部分薄膜殘留，導(dǎo)致轉(zhuǎn)印圖案存在缺陷。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法，旨在解決現(xiàn)有的量子點(diǎn)薄膜轉(zhuǎn)印方法易造成部分薄膜殘留，導(dǎo)致轉(zhuǎn)印圖案有缺陷的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其中，包括步驟：

提供初始印章，所述初始印章的印面設(shè)有若干個(gè)初始凸型圖案和若干個(gè)初始凸型圖案之間的初始凹型圖案；

對(duì)所述初始印章的初始凹型圖案進(jìn)行表面處理；

將經(jīng)過表面處理的所述初始印章進(jìn)行變形處理，使所述初始印章印面變形至平面，得到形變印章；

在形變印章的印面上制備量子點(diǎn)初始薄膜；

將印面制備有量子點(diǎn)初始薄膜的形變印章恢復(fù)成初始印章，形成印面初始凸型圖案和初始凹型圖案上具有量子點(diǎn)圖案化薄膜的初始印章；

將印面具有量子點(diǎn)圖案化薄膜的初始印章與目標(biāo)基底接觸，使所述初始凸型圖案上的量子點(diǎn)圖案化薄膜轉(zhuǎn)印于目標(biāo)基底上。

所述的量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其中，所述表面處理為等離子體處理和/或UVO處理。

所述的量子點(diǎn)薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其中，所述初始印章的制備方法包括：

提供形狀記憶聚合物前體、改性劑、固化劑和促進(jìn)劑；

將所述形狀記憶聚合物前體、所述改性劑、所述固化劑和所述促進(jìn)劑混合后，反應(yīng)得到改性形狀記憶聚合物；