[發(fā)明專利]一種量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711353711.7 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN109927435B | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張?zhí)?/a>;向超宇;李樂;辛征航;王雄志 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | B41M5/382 | 分類號： | B41M5/382;B29C69/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 薄膜 方法 | ||
1.一種量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，包括步驟：
提供初始印章，所述初始印章的印面設(shè)有若干個初始凸型圖案和若干個初始凸型圖案之間的初始凹型圖案；
對所述初始印章的初始凹型圖案進行表面處理，使所述初始凹型圖案的表面能大于所述初始凸型圖案的表面能；
將經(jīng)過表面處理的所述初始印章進行變形處理，使所述初始印章印面變形至平面，得到形變印章；
在形變印章的印面上制備量子點初始薄膜；
將印面制備有量子點初始薄膜的形變印章恢復(fù)成初始印章，形成印面初始凸型圖案和初始凹型圖案上具有量子點圖案化薄膜的初始印章；
將印面具有量子點圖案化薄膜的初始印章與目標(biāo)基底接觸，使所述初始凸型圖案上的量子點圖案化薄膜轉(zhuǎn)印于目標(biāo)基底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述表面處理為等離子體處理和/或UVO處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述初始印章的制備方法包括：
提供形狀記憶聚合物前體、改性劑、固化劑和促進劑；
將所述形狀記憶聚合物前體、所述改性劑、所述固化劑和所述促進劑混合后，反應(yīng)得到改性形狀記憶聚合物；
將改性形狀記憶聚合物加入到可形成所述初始印章的第一模具中，進行固化處理，得所述初始印章。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述形狀記憶聚合物前體為環(huán)氧樹脂；和/或
所述改性劑為聚二甲基硅氧烷；和/或
所述固化劑為聚氧化丙烯雙胺；和/或
所述促進劑為癸胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述形狀記憶聚合物前體、所述改性劑、所述固化劑和所述促進劑的摩爾比為：15～25:0.5～2:2～10:5～15。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述初始印章的制備方法包括：
提供軟段形狀記憶聚合物前體、改性劑、硬段形狀記憶聚合物前體、擴鏈劑；
將所述軟段形狀記憶聚合物前體、所述改性劑、所述硬段形狀記憶聚合物前體、所述擴鏈劑混合后，反應(yīng)得到改性形狀記憶聚合物；
將改性形狀記憶聚合物加入到可形成所述初始印章的第一模具中，進行固化處理，得所述初始印章。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述軟段形狀記憶聚合物前體為環(huán)氧樹脂；和/或
所述改性劑為聚二甲基硅氧烷；和/或
所述硬段形狀記憶聚合物前體為異氰酸酯；和/或
所述擴鏈劑為1,4-丁二醇。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述軟段形狀記憶聚合物前體、所述改性劑、所述硬段形狀記憶聚合物前體、所述擴鏈劑的摩爾比為：
5～15:0.5～2:10～20:1～10。
9.根據(jù)權(quán)利要求3-8任一所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述改性形狀記憶聚合物為熱致型形狀記憶聚合物，所述熱致型形狀記憶聚合物的玻璃化溫度Tg≤150℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述將經(jīng)過表面處理的所述初始印章進行變形處理，使所述初始印章印面變形至平面，得到形變印章的步驟包括：將所述初始印章的印面朝下、且置入可形成所述形變印章的第二模具中；
加熱至溫度大于所述玻璃化溫度Tg，均勻施壓使所述印面的初始凸型圖案和初始凹型圖案變形至平面；
冷卻至溫度小于所述玻璃化溫度Tg，得所述形變印章。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述將印面制備有量子點初始薄膜的形變印章恢復(fù)成初始印章的步驟包括：對所述形變印章加熱處理至溫度大于所述玻璃化溫度Tg，小于所述改性形狀記憶聚合物的粘流溫度。
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