[發(fā)明專利]一種真空測量裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711353301.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN107976279A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙青松;南建輝
• 申請（專利權(quán)）人: 北京創(chuàng)昱科技有限公司
• 主分類號: G01L21/00
• 分類號: G01L21/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 王瑩,吳歡燕

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空測量技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空測量裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體行業(yè)、太陽能行業(yè)LED行業(yè)、平板顯示行業(yè)快速發(fā)展的今天，有毒材料、易燃易爆材料和腐蝕性材料廣泛應(yīng)用，在生產(chǎn)設(shè)備的真空反應(yīng)腔室和真空排氣管道上這些材料大量沉積，還有一些低熔點(diǎn)的副產(chǎn)物也大量沉積。這些材料很容易沉積到安裝在真空反應(yīng)腔室或真空排氣管道真空規(guī)的內(nèi)部，嚴(yán)重影響真空測量精度和影響真空規(guī)的適用壽命。在這些設(shè)備上的真空規(guī)一旦出現(xiàn)問題，就要更換新品，很少有維修人員愿意接觸這些有劇毒沉積物的真空規(guī)。對于某些真空工作環(huán)境惡劣又不得不用真空規(guī)的設(shè)備，真空規(guī)變成了一種奢侈的耗材，是困擾不少設(shè)備廠家和工廠一個頭疼的問題。

普通型真空規(guī)適合檢測很潔凈的真空環(huán)境，比如說氮?dú)饣蚩諝獾沫h(huán)境容器真空度。若真空環(huán)境中有腐蝕性氣體就會造成真空規(guī)的測量隔膜被腐蝕掉，影響真空度的檢驗；若真空環(huán)境中有容易沉積的物質(zhì)，這些物質(zhì)會慢慢在真空規(guī)檢測腔體內(nèi)壁和真空規(guī)測量隔膜上沉積，會造成真空規(guī)結(jié)頭的氣流通道堵塞，引起真空規(guī)測量隔膜的變形、測量隔膜與精密電容分析原件電容漂移，影響檢測精度；若檢測腔室是高溫氣體，高溫氣體很容易把熱傳到真空規(guī)測量隔膜上，引起真空規(guī)測量隔膜的變形，影響測量精度或燒毀真空規(guī)的電容分析原件。

目前，市場上已經(jīng)有耐腐蝕型號的真空規(guī)和耐高溫型號的真空規(guī)，但價格是普通真空規(guī)的10倍以上，耐高溫一般最高耐溫也只有200℃。市場上一直沒有真正意義耐沉積的真空規(guī)出現(xiàn)，現(xiàn)在也只能是通過提高真空規(guī)的工作溫度來減少真空規(guī)內(nèi)沉積物產(chǎn)生，但最高加熱溫度也只有200℃，真空規(guī)檢測腔體內(nèi)部一旦有沉積產(chǎn)生，就需要對真空規(guī)返廠清洗和維修，費(fèi)時、費(fèi)力成本高。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是解決現(xiàn)有的真空規(guī)測量裝置的測量隔膜上容易產(chǎn)生沉積物，影響測量精度，且難以在高溫、腐蝕等極端工況下工作的問題。

(二)技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種真空測量裝置，包括沿壓力傳導(dǎo)方向依次設(shè)置的前級腔室和真空規(guī)，所述前級腔室與所述真空規(guī)連通，所述前級腔室內(nèi)設(shè)有前級隔膜，所述真空規(guī)內(nèi)設(shè)有測量隔膜，所述前級隔膜與所述測量隔膜之間形成壓力傳導(dǎo)腔，所述壓力傳導(dǎo)腔內(nèi)填充有壓力傳導(dǎo)液。

其中，所述前級腔室與所述真空規(guī)通過管道連通。

其中，所述管道包括螺旋狀管道和直線狀管道。

其中，所述管道上設(shè)有散熱元件。

其中，所述散熱元件為均勻分布的散熱翅片。

其中，所述前級腔室上設(shè)有所述壓力傳導(dǎo)液的填充口。

其中，所述真空規(guī)內(nèi)還設(shè)有電容元件、電容分析元件和輸入輸出單元，所述電容元件與所述壓力傳導(dǎo)液分別位于所述檢測隔膜兩側(cè)，所述電容分析元件與所述電容元件連接，且通過電極與所述輸入輸出單元連接。

其中，所述真空規(guī)在與所述管道的連通處設(shè)有隔熱擋板。

其中，還包括吸氣劑，所述吸氣劑設(shè)置于所述真空規(guī)內(nèi)。

其中，還包括加熱器，所述加熱器用于對所述前級腔室加熱，加熱溫度不超過500℃。

其中，所述壓力傳導(dǎo)液為甘油或硅油。

(三)有益效果

本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明在前級隔膜與測量隔膜之間填充的壓力傳導(dǎo)液體，可用于有腐蝕性氣體的真空環(huán)境中，避免造成真空規(guī)的測量隔膜被腐蝕的問題，同時也避免了真空環(huán)境中的易沉積物質(zhì)在真空規(guī)的內(nèi)壁和測量隔膜上沉積，引起測量隔膜的變形，影響真空度的檢驗精度的問題；預(yù)先設(shè)置前級腔室，即使沉積物質(zhì)會造成前級腔室入口的堵塞，造成前級隔膜變形，也不會影響檢測精度，即使腐蝕性氣體或高溫氣體造成前級隔膜損壞，位于前級腔室中也便于前級隔膜更換，不會影響到后續(xù)真空規(guī)；本發(fā)明還可用于有高溫氣體的真空環(huán)境中，能夠避免高溫氣體把熱傳到測量隔膜上，引起測量隔膜的變形，影響測量精度或燒毀真空規(guī)的電容元件的問題。因此本發(fā)明不僅適合常規(guī)環(huán)境下的真空度測量，而且適合極端工況下的真空度測量。

除了上面所描述的本發(fā)明解決的技術(shù)問題、構(gòu)成的技術(shù)方案的技術(shù)特征以及有這些技術(shù)方案的技術(shù)特征所帶來的優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明的其他技術(shù)特征及這些技術(shù)特征帶來的優(yōu)點(diǎn)，將結(jié)合附圖作出進(jìn)一步說明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例真空規(guī)測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例真空規(guī)測量裝置的管道的結(jié)構(gòu)示意圖。