[發(fā)明專利]應(yīng)用于顯示面板的老化處理方法及老化處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711352725.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN108120915B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙科;張國(guó)慶;高弘瑋;王曉偉;賈智慧;宗巖;楊龍飛;楊紅霞;郭美利;王偉峰;趙普查;郭志鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01R31/27
• 分類號(hào): G01R31/27;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于顯示面板的老化處理方法及老化處理系統(tǒng)，通過(guò)根據(jù)顯示面板中需要進(jìn)行老化處理的晶體管的初始特性曲線，確定晶體管的初始截止電壓范圍；根據(jù)初始截止電壓范圍，確定晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓，以增大晶體管的截止電壓范圍；根據(jù)確定的各晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓，對(duì)顯示面板中需要進(jìn)行老化處理的晶體管進(jìn)行老化處理。該方法中由于對(duì)各顯示面板施加的老化處理電壓是根據(jù)該顯示面板中的晶體管獲得的，因此老化處理后的效果好，能夠有效保證工藝良率及產(chǎn)品TFT特性的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種應(yīng)用于顯示面板的老化處理方法及老化處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)器件制作過(guò)程中，OLED器件成型后需對(duì)OLED器件中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)進(jìn)行老化(Aging)處理，簡(jiǎn)稱TFT-Aging，以達(dá)到消除亮點(diǎn)且保證TFT特性穩(wěn)定的目的。目前在進(jìn)行TFT-Aging處理時(shí)，通過(guò)給OLED器件加載固定的電壓值，形成較大的應(yīng)力(Stress)作用于TFT上，從而達(dá)到老化效果。老化效果與Stress相關(guān)，適中的Stress可使得OLED器件良品率提高和TFT特性穩(wěn)定性提高。

現(xiàn)階段TFT-Aging是通過(guò)給TFT寫入固定的電壓值，形成固定的Stress(Vgs和Vds)作用于TFT上，通過(guò)多次調(diào)試，最終得到理想的Aging Stress。但是由于現(xiàn)有產(chǎn)品TFT特性離散型較大，單一固定的Aging Stress無(wú)法使所有產(chǎn)品均達(dá)到好的老化效果，Stress過(guò)大、過(guò)小都會(huì)造成TFT漏電而產(chǎn)生亮點(diǎn)和無(wú)法保證TFT特性穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種應(yīng)用于顯示面板的老化處理方法及老化處理系統(tǒng)，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的單一固定的Aging Stress無(wú)法使所有產(chǎn)品均達(dá)到好的老化效果的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種應(yīng)用于顯示面板的老化處理方法，包括：

對(duì)所述顯示面板中需要進(jìn)行老化處理的晶體管，獲取所述晶體管的初始特性曲線；

根據(jù)獲取的所述初始特性曲線確定所述晶體管的初始截止電壓范圍；

根據(jù)所述初始截止電壓范圍，確定所述晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓，以增大所述晶體管的截止電壓范圍；

根據(jù)所述確定的各晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓，對(duì)所述顯示面板中需要進(jìn)行老化處理的晶體管進(jìn)行老化處理。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的老化處理方法中，根據(jù)所述初始截止電壓范圍，確定所述晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓，具體包括：

根據(jù)所述初始截止電壓范圍確定所述晶體管對(duì)應(yīng)的參考截止電壓范圍；

以所述參考截止電壓范圍為目標(biāo)截止電壓范圍，確定所述晶體管要達(dá)到所述目標(biāo)截止電壓范圍時(shí)所需的參考柵源電壓和參考漏源電壓；

將所述參考柵源電壓和所述參考漏源電壓施加于所述晶體管后獲取所述晶體管當(dāng)前的特性曲線；

確定獲取的所述晶體管當(dāng)前的特性曲線是否滿足要求；

若獲取的所述晶體管當(dāng)前的特性曲線不滿足要求，則增大所述參考截止電壓范圍，并以增大后的所述參考截止電壓范圍為目標(biāo)截止電壓范圍；

直到所述晶體管當(dāng)前的特性曲線滿足要求，并將滿足要求時(shí)的參考柵源電壓和參考漏源電壓作為所述晶體管所需的柵源電壓和漏源電壓。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的老化處理方法中，根據(jù)預(yù)先獲取的柵源電壓、漏源電壓和截止電壓范圍的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定所述晶體管要達(dá)到所述目標(biāo)截止電壓范圍時(shí)所需的參考柵源電壓和參考漏源電壓。