[發(fā)明專利]基于BJT的集成電路抗靜電轉(zhuǎn)接板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711352234.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108321155B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王起;劉文新
• 申請（專利權(quán)）人: 天水電子電器檢測試驗中心
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/762
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 李斌

1.一種基于BJT的集成電路抗靜電轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，包括：硅基襯底(11)、TSV孔(12)、隔離槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金屬互連線(16)、凸點(17)及鈍化層(18)；

所述TSV孔(12)、隔離槽(13)及所述BJT(14)沿橫向依次間隔地設(shè)置于所述硅基襯底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔離槽(13)中填充二氧化硅材料；

所述插塞(15)設(shè)置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)上下表面；

所述金屬互連線(16)設(shè)置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)上表面的所述插塞(15)上；

所述凸點(17)設(shè)置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)下表面的所述插塞(15)上；

所述鈍化層(18)設(shè)置于所述硅基襯底(11)上下表面；

所述BJT(14)的基區(qū)摻雜濃度為6×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3；所述BJT(14)的發(fā)射區(qū)摻雜濃度為6×10²⁰cm^-3～3×10²；所述BJT(14)的集電區(qū)的摻雜濃度為3×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3；

所述金屬互連線圍繞成螺旋狀。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，所述硅基襯底(11)的摻雜濃度為10¹⁴～10¹⁷cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，在所述TSV孔(12)中，所述多晶硅材料的摻雜濃度為3×10²⁰cm^-3～5×10²¹cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，所述插塞(15)為鎢材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，所述金屬互連線(16)與所述凸點(17)為銅材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板(10)，其特征在于，所述鈍化層(18)為二氧化硅材料。