[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201711351791.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN107946322A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 王守坤;邵喜斌;宋勇志;郭會斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司11438
• 代理人: 王輝,闞梓瑄

技術領域

本公開涉及顯示領域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板的制造方法、包含陣列基板的顯示裝置。

背景技術

隨著科學技術的進步，越來越多的電子設備進入了人們的生活中，比如智能手機、平板電腦、液晶電視等終端設備，豐富和方便了人們的日常生活。

顯示面板是電子設備中獲取信息的重要部件之一，同時陣列基板的性能決定了顯示面板的性能，其性能的好壞直接影響終端設備的性能及用戶體驗。本領域通常在襯底基板形成金屬走線。但是金屬走線的反射率極高，并且金屬和基板之間的粘附力有限，會產生一系列的問題。這些問題極大的限制了顯示面板及顯示裝置的性能。

鑒于此，為了降低金屬配線的反射率，并提高金屬配線和襯底基板的粘附力，進一步提高顯示面板及顯示裝置的性能，本領域亟需研發一種高性能的陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，以提高金屬配線和襯底基板的粘附力，并降低金屬走線的反射率，進而提高顯示裝置的性能。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的第一方面，提供一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；以及

金屬配線層，位于所述襯底基板上；所述金屬配線層包括第一氧化鉬襯底層以及位于所述第一氧化鉬襯底層上的第一金屬層。

在本公開的示例性實施例中，所述陣列基板還包括設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管，所述金屬配線層包括所述薄膜晶體管的柵極。

在本公開的示例性實施例中，所述薄膜晶體管的源漏極包括第二氧化鉬層和第二金屬層。

在本公開的示例性實施例中，所述陣列基板還包括走線圖案，所述金屬配線層包括所述走線圖案。

在本公開的示例性實施例中，所述第一氧化鉬襯底層的厚度不低于

在本公開的示例性實施例中，所述金屬層的材質為銅或鋁。

在本公開的示例性實施例中，所述襯底基板為玻璃基板。

根據本公開的第二方面，提供一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成第一氧化鉬襯底層；

在所述第一氧化鉬襯底層上形成第一金屬層，所述第一氧化鉬襯底層和所述第一金屬層形成金屬配線層。

在本公開的示例性實施例中，所述陣列基板的制造方法還包括：在所述襯底基板上形成薄膜晶體管。

在本公開的示例性實施例中，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，包括：

形成包括所述薄膜晶體管柵極的圖案，對所述金屬配線層通過構圖工藝形成包括所述薄膜晶體管柵極的圖案；

形成柵絕緣層，在所述柵極上形成柵絕緣層；

形成有源層，在所述柵絕緣層上形成有源層薄膜，通過構圖工藝形成包含有源層的圖案；

形成源漏極，在所述有源層上形成源漏極材料層，通過構圖工藝形成包含源漏極的圖案。

在本公開的示例性實施例中，形成源漏極，包括：在所述有源層上形成第二氧化鉬襯底層，在所述第二氧化鉬成底層上形成第二金屬層，通過構圖工藝形成包含源漏極的圖案。

在本公開的示例性實施例中，所述陣列基板的制造方法還包括，形成走線圖案：在所述金屬配線層上通過構圖工藝形成走線圖案。

在本公開的示例性實施例中，所述第一氧化鉬襯底層采用物理氣相沉積法直接成膜，沉積參數為：氬氣流量10～3000sccm，氣壓0.1-2Pa，功率0.5-80kw，沉積速率

在本公開的示例性實施例中，所述第一氧化鉬襯底層的厚度不低于

根據本公開的第三方面，提供一種顯示裝置，其特征在于，包括上述的陣列基板。

由上述技術方案可知，本公開示例性實施例中的陣列基板及其制造方法、顯示裝置至少具備以下優點和積極效果：

本公開中陣列基板包括襯底基板及金屬配線層，金屬配線層包括第一氧化鉬襯底層和位于第一氧化鉬襯底層上的第一金屬層，通過第一氧化鉬襯底層一方面降低了第一金屬層形成的金屬配線的反射率、增強了金屬配線與襯底基板的粘附力，并且避免了金屬配線中金屬元素擴散到襯底基板；另一方面，本公開中的氧化鉬襯底層為直接成膜，減少了工藝流程和制造成本，提高了制造效率。