[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

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• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN107946322A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 王守坤;邵喜斌;宋勇志;郭會斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司11438
• 代理人: 王輝,闞梓瑄

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；以及

金屬配線層，位于所述襯底基板上；所述金屬配線層包括第一氧化鉬襯底層以及位于所述第一氧化鉬襯底層上的第一金屬層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管，所述金屬配線層包括所述薄膜晶體管的柵極。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的源漏極包括第二氧化鉬襯底層和第二金屬層。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括走線圖案，所述金屬配線層包括所述走線圖案。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一氧化鉬襯底層的厚度不低于

6.根據權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬層的材質為銅或鋁。

7.根據權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板為玻璃基板。

8.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成第一氧化鉬襯底層；

在所述第一氧化鉬襯底層上形成第一金屬層：所述第一氧化鉬襯底層和所述第一金屬層形成金屬配線層。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板的制造方法還包括：在所述襯底基板上形成薄膜晶體管。

10.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，包括：

形成包括所述薄膜晶體管柵極的圖案：對金屬配線層通過構圖工藝形成包括所述薄膜晶體管柵極的圖案；

形成柵絕緣層：在所述柵極上形成柵絕緣層；

形成有源層：在所述柵絕緣層上形成有源層薄膜，通過構圖工藝形成包含有源層的圖案；

形成源漏極：在所述有源層上形成源漏極材料層，通過構圖工藝形成包含源漏極的圖案。

11.根據權利要求10所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，形成源漏極，包括：在所述有源層上形成第二氧化鉬襯底層；在所述第二氧化鉬成底層上形成第二金屬層；通過構圖工藝形成包含源漏極的圖案。

12.根據權力要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板的制造方法還包括，形成走線圖案：在所述金屬配線層上通過構圖工藝形成走線圖案。

13.根據權利要求8-12任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一氧化鉬襯底層采用物理氣相沉積法直接成膜，沉積參數為：氬氣流量10～3000sccm，氣壓0.1-2Pa，功率0.5-80kw，沉積速率

14.根據權利要求13所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一氧化鉬襯底層的厚度不低于

15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的陣列基板。