[發明專利]TFT陣列基板全接觸式測試線路

有效

• 申請號: 201711351770.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108122804B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 陳彩琴
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L27/12
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明提供一種TFT陣列基板全接觸式測試線路，將測試芯片(5)設于面板切割界線(7)之外，允許測試芯片(5)上的各測試端子(51)的尺寸以及相鄰測試端子(51)之間的距離加大，能夠提高測試設備接觸測試端子(51)的成功率；測試芯片(5)在面板切割時被切割掉，且連接測試端子(51)與驅動芯片(3)上驅動端子(31)的走線(35)由與TFT陣列基板內TFT的有源層同層的半導體(S)制作而成，能夠防止面板切割后發生線路腐蝕與靜電放電的風險；由于測試芯片(5)在面板切割時被切割掉，測試端子(51)上無需覆蓋絕緣的有機層，從而允許在制作出TFT陣列基板內TFT的源/漏極后及在TFT陣列基板全部制作完成的情況下都可以進行測試。

技術領域

本發明涉及顯示面板檢測技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板全接觸式測試線路。

背景技術

有機發光二極管顯示面板(Organic Light Emitting Display，OLED)由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異特性，被認為是下一代平面顯示器的新興應用技術。

OLED顯示面板按照驅動類型可分為無源矩陣型(Passive Matrix，PM)OLED和有源矩陣型(Active Matrix，AM)OLED兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)矩陣尋址兩類。AMOLED顯示面板包括TFT陣列基板，在所述TFT陣列基板上設有呈陣列式排布的像素(Pixel)。

在AMOLED顯示面板的TFT陣列基板的制作過程中，會對其進行全接觸式測試(FullContact Test)(所謂全接觸式測試即對每個像素都進行測試)，通過測試設備向TFT陣列基板輸入像素驅動信號、GOA驅動信號等一系列的驅動信號，以輸出顯示區掃描信號(Gate)和發光信號(EM)。

由于進行全接觸式測試時會對每個像素進行回路電流測試，故而TFT陣列基板內的每條數據線(Data Line)都需要信號給入。請參閱圖1，現有的TFT陣列基板全接觸式測試線路包括多條數據線100、設于所述多條數據線100的扇出區(Fan out)101之外的測試芯片300及設于所述測試芯片300遠離所述扇出區101一側的驅動芯片(COF)500，并且所述測試芯片300與驅動芯片500均位于AMOLED顯示面板的切割界線700之內；所述測試芯片300包括多個測試端子301，一測試端子301對應電性連接一數據線100；所述驅動芯片500包括多個驅動端子501，一驅動端子501通過一金屬走線350電性連接一對應的測試端子301。結合圖1與圖3，所述測試端子301、驅動端子501及金屬走線350均采用與TFT陣列基板內TFT的源/漏極同層的金屬M制作。隨著AMOLED顯示面板解析度的增加，所述數據線100的數量增多，所述測試芯片300內測試端子301的數量相應增多，這樣會引發一些設計和工藝方面的風險，例如：

A、所述測試芯片300內測試端子301的數量眾多，排布較密集，測試設備接觸所述測試端子301的成功率降低；

B、所述測試芯片300位于所述驅動芯片500到數據線100的扇出區101之間，TFT陣列基板全接觸式測試完成后，后續會進行OLED制程，封裝的邊界將不會到達此區域，造成所述測試芯片300內的測試端子301裸露，加大了由于雜質顆粒(Particle)掉落在各測試端子301上造成測試端子301之間短路的風險以及由于水氧進入測試端子301或金屬走線350造成腐蝕的風險；

C、隨著所述測試芯片300內測試端子301的數量增多，全部測試端子301所占的金屬面積較大，金屬的導電性良好，有靜電放電(Electro-Static Discharge，ESD)的風險。