[發明專利]用于三維集成電路封裝的硅通孔轉接板有效
| 申請號： | 201711350794.4 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN108054155B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 蔡鏡波;程自闖;張亮 | 申請（專利權）人： | 佛山金航向電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L27/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588 | 代理人： | 國紅 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 三維集成電路 封裝 硅通孔 轉接 | ||
1.一種用于三維集成電路封裝的硅通孔轉接板，其特征在于，包括：
Si基板(11)；
MOS管(12)，設置于所述Si基板(11)內；MOS管器件周邊被SiO2絕緣層包圍；
隔離區(13)，設置于所述MOS管(12)四周且上下貫通所述Si基板(11)，用于對所述MOS管(12)進行隔離；
TSV區(14)，設置于所述MOS管(12)和所述隔離區(13)形成區域的兩側且上下貫通所述Si基板(11)，所述TSV區(14)內的填充材料為銅；
第一絕緣層(15)，設置于所述Si基板(11)的上表面；
第二絕緣層(16)，設置于所述Si基板(11)的下表面；
互連線(17)，設置于所述第一絕緣層(15)內，用于連接所述TSV區(14)的第一端面和所述MOS管(12)；所述互連線為圍繞成螺旋狀的銅互連線；
銅凸點(18)，設置于所述TSV區(14)的第二端面上；
其中，所述隔離區(13)和所述TSV區(14)的深度一致，所述深度大于80μm，且小于等于120μm。
2.根據權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述MOS管(12)包括：P阱區、柵極區、源區、漏區和P阱接觸區；其中，所述柵極區設置于所述P阱區上，所述源區和所述漏區設置于所述P阱區內且分別位于所述柵極區的第一側和第二側，所述P阱接觸區設置于所述P阱區內且位于所述柵極區的第二側。
3.根據權利要求2所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述TSV區(14)包括第一TSV區和第二TSV區；其中，所述第一TSV區設置于所述柵極區的第一側，所述第二TSV區設置于所述柵極區的第二側。
4.根據權利要求3所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述互連線(17)包括第一互連線和第二互連線；其中，所述第一互連線用于連接所述第一TSV區的第一端面和所述源區，所述第二互連線用于連接所述第二TSV區的第一端面、所述P阱接觸區、所述漏區以及所述柵極區。
5.根據權利要求4所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述源區、所述P阱接觸區、所述漏區和所述柵極區與所述互連線(17)之間均設置有鎢插塞。
6.根據權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述互連線(17)的材料為銅。
7.根據權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述Si基板(11)的摻雜類型為P型，摻雜濃度為1×1014～1×1015cm-3，厚度為80μm～120μm。
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