[發明專利]用于功率電路的平行板波導結構

有效

• 申請號: 201711350774.7
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108231751B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: R·拜爾雷爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/66
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

一種功率半導體封裝體包括：附連到襯底的第一側并且均勻地分布在所述襯底的寬度上的第一組半導體裸片和附連到所述襯底的所述第一側并且均勻地分布在所述襯底的寬度上的第二組半導體裸片。所述第一和第二組半導體裸片中的每個裸片具有在一側處的附連到所述襯底的所述第一側的所有端子和在與具有所述端子的所述一側相反的一側處的隔絕或隔離面。所述襯底的第一中間金屬層形成第一DC端子。所述襯底的第二中間金屬層形成第二DC端子。這些中間金屬層彼此隔絕開并形成平行板波導結構。還描述了附加的功率半導體封裝體實施例。

技術領域

本申請涉及多種功率電路、特別是具有低寄生電感的功率電路。

背景技術

功率半導體封裝體包括諸如功率晶體管和/或功率二極管裸片的功率半導體裸片，所述功率半導體裸片附連到諸如印刷電路板(PCB：Printed Circuit Board)、層合材料或具有圖案化的金屬化表面的陶瓷襯底的襯底上。理想情況下，功率半導體封裝體的換相電路中的寄生電感應該非常低，以允許功率半導體的快速切換。在換相電路中需要具有非常低的寄生電感的這種功率半導體封裝體設計。

發明內容

根據功率半導體封裝體的第一實施例，所述功率半導體封裝體包括襯底、多組半導體裸片和直流(DC)端子。所述襯底包括最下部金屬層、最上部金屬層、通過第一絕緣層與所述最下部金屬層隔離開的第一中間金屬層以及在所述第一中間金屬層之上并且通過第二絕緣層與所述第一中間金屬層隔離開而且在所述最上部金屬層之下并且通過第三絕緣層與所述最上部金屬層隔離開的第二中間金屬層，所述最上部金屬層被圖案化成在所述襯底的寬度上平行延伸的多個條帶。第一組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第一條帶，并且均勻地分布在所述第一條帶的寬度上。第二組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第二條帶，并且均勻地分布在所述第二條帶的寬度上。第三組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第三條帶，并且均勻地分布在所述第三條帶的寬度上。第四組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第四條帶，并且均勻地分布在所述第四條帶的寬度上。第一DC端子附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第五條帶，并且均勻地分布在所述第五條帶的寬度上。第二DC端子附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第六條帶，并且均勻地分布在所述第六條帶的寬度上。所述第一組半導體裸片串聯電連接到所述第二組半導體裸片。所述第三組半導體裸片串聯電連接到所述第四組半導體裸片。所述第一DC端子通過延伸穿過所述第三絕緣層和所述第二絕緣層并且與所述第二中間金屬層隔絕開的多個導電過孔結構電連接到所述第一中間金屬層。所述第二DC端子通過延伸穿過所述第三絕緣層的多個導電過孔結構電連接到所述第二中間金屬層。

根據功率半導體封裝體的第二實施例，襯底包括最下部金屬層、最上部金屬層和將所述最下部金屬層與所述最上部金屬層隔離開的至少第一絕緣層，所述最上部金屬層被圖案化成在所述襯底的寬度上平行延伸的多個條帶。第一組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第一條帶，并且均勻地分布在所述第一條帶的寬度上，所述第一組半導體裸片中的每個半導體裸片均具有附連到所述第一條帶的隔絕或隔離面。第二組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述第一條帶，并且均勻地分布在所述第一條帶的寬度上，所述第二組半導體裸片中的每個半導體裸片均具有附連到所述第一條帶的隔絕或隔離面。第一DC端子附連到所述最上部金屬層的所述第一條帶，并且均勻地分布在所述第一條帶的寬度上。第二DC端子附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第二條帶，并且均勻地分布在所述第二條帶的寬度上。所述第一組半導體裸片串聯電連接到所述第二組半導體裸片。