[發明專利]用于功率電路的平行板波導結構

有效

• 申請號: 201711350774.7
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108231751B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: R·拜爾雷爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/66
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種功率半導體封裝體，包括：

襯底，所述襯底包括最下部金屬層、最上部金屬層、通過第一絕緣層與最下部金屬層隔離開的第一中間金屬層以及在所述第一中間金屬層之上通過第二絕緣層與所述第一中間金屬層隔離開并且在所述最上部金屬層之下通過第三絕緣層與所述最上部金屬層隔離開的第二中間金屬層，所述最上部金屬層被圖案化成在所述襯底的寬度上平行延伸的多個條帶；

第一組半導體裸片，所述第一組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第一條帶，并且均勻地分布在所述第一條帶的寬度上；

第二組半導體裸片，所述第二組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第二條帶，并且均勻地分布在所述第二條帶的寬度上；

第三組半導體裸片，所述第三組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第三條帶，并且均勻地分布在所述第三條帶的寬度上；

第四組半導體裸片，所述第四組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第四條帶，并且均勻地分布在所述第四條帶的寬度上；

第一DC端子，所述第一DC端子附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第五條帶，并且均勻地分布在第五條帶的寬度上；以及

第二DC端子，所述第二DC端子附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第六條帶，并且均勻地分布在第六條帶的寬度上，

其中，所述第一組半導體裸片串聯電連接到所述第二組半導體裸片，

其中，所述第三組半導體裸片串聯電連接到所述第四組半導體裸片，

其中，所述第一DC端子通過延伸穿過所述第三絕緣層和所述第二絕緣層并且與所述第二中間金屬層隔絕開的多個導電過孔結構電連接到所述第一中間金屬層，

其中，所述第二DC端子通過延伸穿過所述第三絕緣層的多個導電過孔結構電連接到所述第二中間金屬層。

2.根據權利要求1所述的功率半導體封裝體，其中，所述功率半導體封裝體還包括：

第五組半導體裸片，所述第五組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第七條帶，并且均勻地分布在所述第七條帶的寬度上；以及

第六組半導體裸片，所述第六組半導體裸片附連到所述最上部金屬層的所述條帶中的第八條帶，并且均勻地分布在所述第八條帶的寬度上，

其中，所述第五組半導體裸片串聯電連接到所述第六組半導體裸片。

3.根據權利要求2所述的功率半導體封裝體，其中，所述功率半導體封裝體還包括：

第一AC端子，所述第一AC端子附連到所述最上部金屬層的所述第二條帶，并且均勻地分布在所述第二條帶的寬度上；

第二AC端子，所述第二AC端子附連到所述最上部金屬層的所述第四條帶，并且均勻地分布在所述第四條帶的寬度上；以及

第三AC端子，所述第三AC端子附連到所述最上部金屬層的所述第八條帶，并且均勻地分布在所述第八條帶的寬度上。

4.根據權利要求2所述的功率半導體封裝體，其中，所述功率半導體封裝體還包括：

附連到所述第二中間金屬層的兩個條帶并且將所述第二中間金屬層的所述兩個條帶連接的多個電容器，

其中，所述第二中間金屬層的所述兩個條帶在所述第二中間金屬層的寬度上平行延伸，

其中，所述電容器均勻地分布在所述第二中間金屬層的寬度上。