[發明專利]一種硅片的清洗方法

在審

• 申請號: 201711349496.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108039315A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 侯玥玥;黃紀德;金井升;張昕宇;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本發明實施例公開了一種硅片的清洗方法，包括：將待清洗的硅片放置在臭氧水中進行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；將硅片放置在預熱后的氫氟酸溶液中進行第一次酸洗，以對氧化膜進行去除，氫氟酸溶液中水與氫氟酸的比例取值范圍為20:1?10:1，包括端點值；預熱后的氫氟酸溶液的溫度為40℃?80℃，包括端點值；將硅片放入去離子水中，進行第二次水洗，以對位于硅片表面的氫氟酸溶液進行清洗；將硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合溶液中，進行第二次酸洗，以對硅片表面的金屬離子進行去除；將硅片放入去離子水中，進行第三次水洗。該方法可在去除硅片表面沾污的雜質的基礎上達到節省氫氟酸的目的。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種硅片的清洗方法。

背景技術

常規的化石燃料日益消耗殆盡，在現有的可持續能源中，太陽能無疑是一種清潔、普遍和潛力高的替代能源。太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于它是綠色環保產品，不會引起環境污染，而且太陽能是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發展前途的新型能源，并受到了廣泛的關注。

太陽能電池所使用的基底材料主要為硅片，硅片制結前表面的性質和狀態會強烈的影響結特性。因此，現有硅片表面可能留有的一些沾污的雜質，如油脂、松香、蠟等有機物質，金屬離子及各種無機化合物，塵埃以及其他可溶性物質，會影響制成的太陽能電池的性能。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種硅片的清洗方法，以去除硅片表面沾污的雜質。

為解決上述問題，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種硅片的清洗方法，包括：

將待清洗的半導體硅片放置在臭氧水中進行第一次水洗，在所述半導體硅片表面形成氧化膜；

將所述半導體硅片放置在預熱后的氫氟酸溶液中進行第一次酸洗，以對所述氧化膜進行去除，其中，所述氫氟酸溶液中水與氫氟酸的比例取值范圍為20:1-10:1，包括端點值；所述預熱后的氫氟酸溶液的溫度為40℃-80℃，包括端點值；

將所述半導體硅片放入去離子水中，進行第二次水洗，以對位于所述半導體硅片表面的氫氟酸溶液進行清洗；

將所述半導體硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合溶液中，進行第二次酸洗，以對所述半導體硅片表面的金屬離子進行去除；

將所述半導體硅片放入去離子水中，進行第三次水洗。

可選的，所述將待清洗的半導體硅片放置在臭氧水中進行第一次水洗，在所述半導體硅片表面形成氧化膜包括：

將待清洗的半導體硅片放置在臭氧水中，靜置第一時間，在所述半導體硅片表面形成氧化膜，其中，所述第一時間的取值范圍為2分鐘-10分鐘，包括端點值。

可選的，所述第一時間的取值范圍為1分鐘-5分鐘，包括端點值。

可選的，所述將所述半導體硅片放置在預熱后的氫氟酸溶液中進行第一次酸洗，以對所述氧化膜進行去除包括：

將所述半導體硅片放置在預熱后的氫氟酸溶液中，靜置第二時間，進行第一次酸洗，其中，所述第二時間的取值范圍為0.5分鐘-3分鐘，包括端點值。

可選的，所述預熱后的氫氟酸溶液的獲得方法包括：對提前配置好的第一濃度的氫氟酸溶液進行預熱，使其達到第一溫度，其中，所述第一濃度的氫氟酸溶液中水與氫氟酸的比例取值范圍為20:1-10:1，包括端點值；所述第一溫度的取值范圍為40℃-80℃，包括端點值。

可選的，所述將所述半導體硅片放入去離子水中，進行第二次水洗包括：

將所述半導體硅片放入去離子水中，靜置第三時間，進行第二次水洗，其中，所述第三時間的取值范圍為2分鐘-5分鐘。