[發(fā)明專利]一種硅片的清洗方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711349496.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN108039315A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯玥玥;黃紀(jì)德;金井升;張昕宇;金浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種硅片的清洗方法，其特征在于，包括：

將待清洗的半導(dǎo)體硅片放置在臭氧水中進(jìn)行第一次水洗，在所述半導(dǎo)體硅片表面形成氧化膜；

將所述半導(dǎo)體硅片放置在預(yù)熱后的氫氟酸溶液中進(jìn)行第一次酸洗，以對(duì)所述氧化膜進(jìn)行去除，其中，所述氫氟酸溶液中水與氫氟酸的比例取值范圍為20:1-10:1，包括端點(diǎn)值；所述預(yù)熱后的氫氟酸溶液的溫度為40℃-80℃，包括端點(diǎn)值；

將所述半導(dǎo)體硅片放入去離子水中，進(jìn)行第二次水洗，以對(duì)位于所述半導(dǎo)體硅片表面的氫氟酸溶液進(jìn)行清洗；

將所述半導(dǎo)體硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合溶液中，進(jìn)行第二次酸洗，以對(duì)所述半導(dǎo)體硅片表面的金屬離子進(jìn)行去除；

將所述半導(dǎo)體硅片放入去離子水中，進(jìn)行第三次水洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述將待清洗的半導(dǎo)體硅片放置在臭氧水中進(jìn)行第一次水洗，在所述半導(dǎo)體硅片表面形成氧化膜包括：

將待清洗的半導(dǎo)體硅片放置在臭氧水中，靜置第一時(shí)間，在所述半導(dǎo)體硅片表面形成氧化膜，其中，所述第一時(shí)間的取值范圍為2分鐘-10分鐘，包括端點(diǎn)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述第一時(shí)間的取值范圍為1分鐘-5分鐘，包括端點(diǎn)值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述將所述半導(dǎo)體硅片放置在預(yù)熱后的氫氟酸溶液中進(jìn)行第一次酸洗，以對(duì)所述氧化膜進(jìn)行去除包括：

將所述半導(dǎo)體硅片放置在預(yù)熱后的氫氟酸溶液中，靜置第二時(shí)間，進(jìn)行第一次酸洗，其中，所述第二時(shí)間的取值范圍為0.5分鐘-3分鐘，包括端點(diǎn)值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的清洗方法，其特征在于，所述預(yù)熱后的氫氟酸溶液的獲得方法包括：對(duì)提前配置好的第一濃度的氫氟酸溶液進(jìn)行預(yù)熱，使其達(dá)到第一溫度，其中，所述第一濃度的氫氟酸溶液中水與氫氟酸的比例取值范圍為20:1-10:1，包括端點(diǎn)值；所述第一溫度的取值范圍為40℃-80℃，包括端點(diǎn)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述將所述半導(dǎo)體硅片放入去離子水中，進(jìn)行第二次水洗包括：

將所述半導(dǎo)體硅片放入去離子水中，靜置第三時(shí)間，進(jìn)行第二次水洗，其中，所述第三時(shí)間的取值范圍為2分鐘-5分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述將所述半導(dǎo)體硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合溶液中，進(jìn)行第二次酸洗包括：

將所述半導(dǎo)體硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合溶液中，靜置第四時(shí)間，進(jìn)行第二次酸洗，其中，所述第四時(shí)間的取值范圍為1分鐘-3分鐘，包括端點(diǎn)值。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸和鹽酸的混合溶液中鹽酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)取值范圍為10％-15％，包括端點(diǎn)值；氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7％-12％，包括端點(diǎn)值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，該方法還包括：

對(duì)清洗完成的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行干燥。