[發明專利]可提高拋光性能的化學機械拋光方法在審
| 申請號: | 201711348564.4 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN109926910A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 潘繼東 | 申請(專利權)人: | 新昌縣新崎制冷設備有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/04 | 分類號: | B24B37/04 |
| 代理公司: | 天津企興智財知識產權代理有限公司 12226 | 代理人: | 韓敏 |
| 地址: | 312500 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拋光 拋光性能 化學機械拋光 拋光終點 檢測 統計 | ||
本發明提供了一種可提高拋光性能的化學機械拋光方法,該方法包括第一階段拋光、第二階段拋光和第三階段拋光,該方法包括以下步驟:步驟1:統計得出第一階段拋光、第二階段拋光和第三階段拋光的總時間;步驟2:將第一階段拋光時間設定為總時間的60?70%,將第二階段拋光時間設定為總時間的20?30%,并且按照設定時間進行拋光;步驟3:進行第三階段拋光并檢測拋光終點,在檢測到拋光終點時停止拋光。本發明所述的可提高拋光性能的化學機械拋光方法,可大幅度提高拋光性能。
技術領域
本發明屬于機械加工領域,尤其是涉及一種可提高拋光性能的化學機械拋光方法。
背景技術
在制作鎢插塞、銅金屬線和淺溝槽隔離結構后,均需通過化學機械拋光(簡稱CMP)將無用的且影響晶圓表面形貌的鎢、銅和溝槽填充物去除以使晶圓平坦化。目前對鎢、銅和淺溝槽填充物的CMP一般包括第一階段拋光和第二階段拋光,第一階段拋光的壓力大于第二階段拋光,該第一階段和第二階段拋光均依據所檢測到的拋光終點來終止拋光的,但是上述壓力較大的第一階段拋光依據所檢測到的拋光終點而停止拋光,容易造成拋光性能不佳,如出現凹陷(dishing)和侵蝕(erosion)過大,因此有必要降低第一階段高壓力拋光的時間。然而第一階段拋光的時間太短又會造成拋光不夠而留下鎢、銅與溝槽填充物殘留。
發明內容
有鑒于此,本發明旨在提出一種可提高拋光性能的化學機械拋光方法,以提高拋光性能。
為達到上述目的,本發明的技術方案是這樣實現的:
一種可提高拋光性能的化學機械拋光方法,包括第一階段拋光、第二階段拋光和第三階段拋光,該方法包括以下步驟:
步驟1:統計得出第一階段拋光、第二階段拋光和第三階段拋光的總時間;
步驟2:將第一階段拋光時間設定為總時間的60-70%,將第二階段拋光時間設定為總時間的20-30%,并且按照設定時間進行拋光;
步驟3:進行第三階段拋光并檢測拋光終點,在檢測到拋光終點時停止拋光。
進一步的,所述的可提高拋光性能的化學機械拋光方法,通過統計實際拋光過程的拋光時間得出第一階段拋光、第二階段拋光和第三階段拋光的總時間為100秒。
進一步的,所述可提高拋光性能的化學機械拋光方法,該拋光層為鎢膜。第一階段拋光壓力為25-30KPa,拋光時間為60秒,第二階段拋光壓力為15-20KPa,拋光時間為25秒,第三階段拋光壓力為10KPa,拋光時間為15秒。
進一步的,所述可提高拋光性能的化學機械拋光方法,該拋光層為銅膜。第一階段拋光壓力為15-25KPa,拋光時間為60秒,第二階段拋光壓力為10-15KPa,拋光時間為25秒,第三階段拋光壓力為5KPa,拋光時間為15秒。
相對于現有技術,本發明所述的可提高拋光性能的化學機械拋光方法具有以下優勢:
本發明所述的可提高拋光性能的化學機械拋光方法,可提高拋光性能。
附圖說明
構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解,本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明,并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
圖1為本發明實施例所述的可提高拋光性能的化學機械拋光方法流程圖;
具體實施方式
需要說明的是,在不沖突的情況下,本發明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
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